[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201711188692.7 申请日: 2017-11-23
公开(公告)号: CN108107637A 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;王浩
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 栅极线 虚设数据线 数据线 阵列基板 薄膜晶体管液晶显示器 薄膜晶体管 电压电极 交替间隔 像素单元 制作 公共电极线 横向设置 像素电极 偶数列 奇数列 线连接 基板 漏极 源极
【说明书】:

发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法,本发明的阵列基板包括多条数据线、多条虚设数据线、多条第一栅极线和多条第二栅极线,多条数据线和多条虚设数据线呈纵向交替间隔布置,多条第一栅极线和多条第二栅极线呈横向交替间隔布置,在多条数据线、多条虚设数据线、多条第一栅极线和多条第二栅极线之间围设有多组像素单元,每组像素单元均包括一奇数列第一薄膜晶体管和一偶数列第二薄膜晶体管;各虚设数据线的两端分别通过一共同电压电极线连接,共同电压电极线横向设置在基板上。本发明的制作方法包括形成多条栅极线和两条共同公共电极线,形成源极、漏极和多条数据线,形成多个像素电极和多条虚设数据线。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法,属于液晶显示技术领域。

背景技术

随着液晶显示技术的发展,目前3D(三维空间)和曲面已经在大尺寸显示方面得到了广泛应用,同时随着4K(3840×2160像素分辨率)和8K(7680×4320像素分辨率)等高解析度的发展,像素尺寸需要越来越小。像素尺寸越小时,液晶面板开口率也会越低,同时,数据线1的线宽和黑色矩阵(BM)2遮光层也会越来越细(如图1所示)。然而,当液晶面板完成曲面时,由于黑色矩阵2和数据线1之间存在的shift(相对位移)会使得开口率更低,如果相对位移过大,则不仅会使像素周边漏光,而且会降低液晶面板的对比度,因此,为了改善曲面液晶显示屏上基板3、下基板4之间的相对位移对显示效果的影响,如图2所示,设计人员通常会去除上基板3侧位于数据线1正投影侧的黑色矩阵(用于遮光),并在下基板4侧位于数据线1正上方的位置制作遮光电极线5。下基板4侧的遮光电极线5与上基板3侧的公共电极6保持一个较小的压差,并利用液晶层7进行遮光,这种技术叫做Data BM less(DBS)技术,能够使液晶分子保持不偏转的状态,从而起到遮光的目的。在传统的DBS技术中,液晶面板阵列基板均采用遮光电极线5网状结构导通(1D2G结构,如图3所示)。但是,由于遮光电极线5的阻抗大,因此导致遮光电极线5的电压驱动均匀性相对较差。

发明内容

针对上述问题,本发明的目的是提供一种能够实现遮光电极线的电压驱动均匀性好的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法。

为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板,包括基板,在所述基板上设置有多条数据线、多条虚设数据线、多条第一栅极线和多条第二栅极线,多条所述数据线和多条所述虚设数据线呈纵向交替间隔布置,多条所述第一栅极线和多条所述第二栅极线呈横向交替间隔布置,在多条所述数据线、多条所述虚设数据线、多条所述第一栅极线和多条所述第二栅极线之间围设有多组像素单元,每组所述像素单元均包括一奇数列第一薄膜晶体管和一偶数列第二薄膜晶体管,每组两相邻的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极共同连接在所述数据线上,每组相邻的两所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极均分别连接在所述第一栅极线和所述第二栅极线上,各所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的漏极均连接一像素电极,各所述虚设数据线的两端分别通过一共同电压电极线连接,所述共同电压电极线横向设置在所述基板上。

在每一所述数据线的上方均设置有一遮光电极线,多个所述遮光电极线与多个所述像素电极之间呈交替间隔布置。

各所述虚设数据线的两端分别通过过孔共同连接在共同电压电极线上。

每列所述第一薄膜晶体管均包括多个间隔布置的所述第一薄膜晶体管,每列所述第二薄膜晶体管均包括多个间隔布置的所述第二薄膜晶体管。

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