[发明专利]一种有机薄膜晶体管电学特性的确定方法及介质

权利要求书

1.一种确定晶体管电学特性的方法，包括：

确定所述晶体管沟道内载流子在晶体管工作温度条件下的迁移特性；以及

基于载流子的所述迁移特性、所述晶体管的半导体材料性质以及所述晶体管的结构特征确定所述晶体管的电学特性，其中确定所述晶体管沟道内载流子在晶体管工作温度条件下的迁移特性包括：

在晶体管工作温度条件下，根据所述晶体管的半导体材料性质确定所述晶体管中静态载流子迁移率；以及

基于所述静态载流子迁移率及所述晶体管材料的激活能确定所述载流子的场效应迁移率，其中所述载流子的场效应迁移率是：

其中μ₀是静态载流子迁移率，E_a是激活能，其中k_B是玻尔兹曼常数，T是温度。

2.如权利要求1所述的方法，其中确定所述晶体管沟道内载流子在晶体管工作温度条件下的迁移特性包括：

在晶体管工作温度条件下，确定所述晶体管的半导体材料中的能隙内的陷阱态分布；以及

基于所述能隙内的陷阱态分布，确定所述晶体管沟道内的载流子浓度。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述能隙内的陷阱态分布满足高斯分布，所述晶体管沟道内的载流子浓度是：

其中N是能隙内总的陷阱态密度，σ是晶体管材料的能量无序参数，E是载流子能量，f(E)是载流子在能量E处的占据几率。

4.如权利要求3所述的方法，其中，载流子在能量E处的占据几率符合费米-狄拉克分布，所述晶体管沟道内的载流子浓度是：

其中n₀是远离半导体绝缘层接触面的载流子浓度，是垂直于沟道方向的电势分布，V_ch是沿沟道方向的电势分布，k_B是玻尔兹曼常数，T是温度。

5.如权利要求2-4任一项所述的方法，其中基于载流子的所述迁移特性以及所述晶体管的半导体材料性质以及结构特征确定所述晶体管的电学特性包括：

根据所述载流子浓度，确定所述晶体管垂直于沟道方向的电场分布；以及

根据所述晶体管垂直于沟道方向的电场分布，确定所述晶体管沟道内的表面电荷分布。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述晶体管垂直于沟道方向的电场分布是：

其中k_B是玻尔兹曼常数，T是温度，ε_s是半导体层介电常数，q是单位电荷的电量，是垂直于沟道方向的电势分布，V_ch是沿沟道方向的电势分布，n₀是远离半导体绝缘层接触面的载流子浓度。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述晶体管沟道内的表面电荷分布为：

其中F_s是晶体管内半导体-绝缘层接触面的电场分布。

8.如权利要求7所述的方法，其中基于载流子的所述迁移特性以及所述晶体管的半导体材料性质以及结构特征确定所述晶体管的电学特性包括：

根据所述载流子的迁移特性、所述晶体管沟道内的表面电荷分布以及所述晶体管的结构特征确定所述晶体管漏极电流随栅极电压的变化关系。