[发明专利]采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备

权利要求书

1.一种采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤1)对TEOS液体进行气化处理，以产生TEOS气体；

步骤2)将氧气和所述TEOS气体通入反应腔室，其中，所述氧气的气体流量与所述TEOS的液体流量的比值不小于3.2；

步骤3)对所述氧气和所述TEOS气体进行解离后反应，生成二氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤1)中对TEOS液体进行气化的温度为80℃～120℃。

3.根据权利要求1所述的采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤2)中所述TEOS气体通过惰性气体作为载体进入所述反应腔室，其中，所述惰性气体包括氦气。

4.根据权利要求1所述的采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤2)中所述氧气的气体流量为2000sccm～4500sccm，所述TEOS的液体流量为500mgm～1500mgm。

5.根据权利要求1所述的采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤3)中通过射频对所述氧气和所述TEOS气体进行解离，其中，射频功率为300W～800W。

6.根据权利要求1所述的采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述反应腔室中的反应压力为7T～8.5T，反应温度为380℃～420℃。

7.根据权利要求1所述的采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜用作沟槽掩膜。

8.根据权利要求7所述的采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沟槽掩膜的厚度为1000埃～20000埃。

9.一种制备如权利要求1～8任一项所述二氧化硅薄膜的设备，其特征在于，所述设备包括：

液体进入管路，用于通入所述TEOS液体；

气化处理装置，与所述液体进入管路连接，用于对通入的所述TEOS液体进行气化处理，以产生TEOS气体；

气体进入管路，用于通入所述氧气；

反应腔室，分别与所述气化处理装置和所述气体进入管路连接，用于装载通入的所述TEOS气体和所述氧气，并作为所述TEOS气体和所述氧气的反应室；及

射频发生装置，设于所述反应腔室上，用于产生射频，并通过产生的射频对所述反应腔室内的所述TEOS气体及所述氧气进行解离。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述设备还包括设于所述气化处理装置与所述反应腔室之间的载体提供装置，用于提供载气，以将所述TEOS气体带入所述反应腔室内。

11.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述射频发生装置包括设于所述反应腔室外的射频发生器，及一端与所述射频发生器连接，一端通入所述反应腔室内的射频传输导体。