[发明专利]反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法

权利要求书

1.一种反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)在已经完成于GaAs衬底（1）上生长反极性四元外延层（2）的反极性AlGaInP四元LED外延片的P型GaP层（3）上生长一层膜；

b)在反极性AlGaInP四元LED外延片的膜上涂负性光刻胶，形成负性光刻胶层（5）；

c)通过光刻在负性光刻胶层（5）上刻蚀形成电流扩展图形，腐蚀P型GaP层（3）上端面上的电流扩展图形内的膜；

d) 在反极性AlGaInP四元LED外延片上通过电子束蒸镀的方式蒸镀一层ITO膜（6），通过负性光刻胶剥离工艺将P型GaP层（3）上端面上的电流扩展图形之外的ITO膜（6）去除；

e) 将P型GaP层（3）上端面上的电流扩展图形内的ITO膜（6）进行高温退火，在P型GaP层（3）上制得P面欧姆接触层及电流扩展层。

2.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤a)中通过PECVD生长的方法生长膜。

3.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤a)中的膜的厚度为0.3-0.4。

4.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤b)中负性光刻胶层（5）的厚度为1.5-3。

5.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于，步骤c)中腐蚀P型GaP层（3）上端面上的电流扩展图形内的膜的步骤为：

c-1)利用浓度为96%的氟化铵溶液、含量为40%的氢氟酸以及纯水按照质量体积比为3:6:18或3:9:18的比例配置腐蚀液；

c-2)将反极性AlGaInP四元LED外延片置入腐蚀液中进行腐蚀，将负性光刻胶层（5）露出的SiO2膜（4）进行腐蚀。

6.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤c)中膜的腐蚀时间为1-2分钟。

7.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤c)中的电流扩展图形为圆柱形或线形结构。

8.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤d)中ITO膜（6）的厚度为0.1-0.13。

9.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤d)中ITO膜（6）的蒸镀温度为220℃-300℃。

10.根据权利要求1所述的反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于：步骤e)中ITO膜（6）的退火温度为450-550℃。