[发明专利]刻蚀溶液和刻蚀方法有效
申请号: | 201711190003.6 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN109835867B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 张瑞朋;丁敬秀 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 溶液 方法 | ||
1.一种刻蚀溶液,所述刻蚀溶液用于对待刻蚀层进行湿法刻蚀,其特征在于,包括:
刻蚀剂;
添加剂,所述添加剂包括阻挡颗粒以进入所述待刻蚀层的侧壁位置处,并填充于所述待刻蚀层的侧壁上,所述添加剂占所述刻蚀溶液的体积比在0.8%到1.2%的范围内。
2.如权利要求1所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述阻挡颗粒尺寸与所述待刻蚀层厚度的比值在1/20到1/2范围内。
3.如权利要求1或2所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述阻挡颗粒的尺寸在0.1μm到1μm范围内。
4.如权利要求1所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述添加剂中,所述阻挡颗粒的质量百分比浓度在20%到40%范围内。
5.如权利要求1所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述阻挡颗粒的材料为高分子材料。
6.如权利要求1或5所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述阻挡颗粒的材料包括聚乙烯、聚丙烯、乙二醇和水中的至少两种。
7.如权利要求6所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述阻挡颗粒的材料为聚乙烯、聚丙烯、乙二醇和水的络合物。
8.如权利要求1或5所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述待刻蚀层的材料为金属;
所述刻蚀剂为酸性溶液。
9.如权利要求8所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述待刻蚀层的材料为铝;所述刻蚀剂包括:磷酸、硝酸和乙酸中的一种或多种。
10.如权利要求9所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述刻蚀溶液温度为50℃到60℃范围内时;所述刻蚀剂对所述待刻蚀层的垂直刻蚀速率在到范围内。
11.如权利要求1所述的刻蚀溶液,其特征在于,所述添加剂占所述刻蚀溶液的体积比大于或等于0.5%。
12.一种刻蚀方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底上具有待刻蚀层;
提供如权利要求1至权利要求11任意一项权利要求所述的刻蚀溶液;
采用所述刻蚀溶液对所述待刻蚀层进行湿法刻蚀,使所述待刻蚀层图形化,以形成目标图形层。
13.如权利要求12所述的刻蚀方法,其特征在于,所述目标图形层的宽度大于40μm。
14.如权利要求12所述的刻蚀方法,其特征在于,采用所述刻蚀溶液对所述待刻蚀层进行湿法刻蚀,所述刻蚀剂的流量在8L/min到10L/min。
15.如权利要求12所述的刻蚀方法,其特征在于,湿法刻蚀之后,对所述目标图形层进行清洗处理。
16.如权利要求15所述的刻蚀方法,其特征在于,通过去离子水对所述目标图形层进行所述清洗处理。
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