[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括在半导体装置的第一表面上沉积抑制剂层，通过实施第一组沉积循环在第二表面上沉积膜，每一个沉积循环包含在第二表面上方吸附第一前驱物，实施第一吹净工艺，在第二表面上方吸附第二前驱物，以及实施第二吹净工艺。半导体装置的制造方法还包含实施与第一吹净工艺或第二吹净工艺不同的第三吹净工艺。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，特别涉及鳍式场效晶体管的半导体装置及其制造方法。

背景技术

集成电路(Integrated Circuit，IC)的材料和设计上的技术进展已经产生了数个世代的集成电路，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，当几何尺寸缩减时，功能密度(例如单位芯片面积的互连装置数量)通常也增加。此尺寸缩减的工艺通过提高生产效率和降低相关成本而提供了一些效益。

这样的尺寸缩减也增加了集成电路的工艺和生产的复杂性，且为了实现这些进展，在集成电路的工艺和生产方面需要相似的发展。举例来说，已经导入鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor，FinFETs)以取代平面式晶体管。目前已开发出鳍式场效晶体管的结构及制造鳍式场效晶体管的方法。

鳍式场效晶体管的制造通常包含形成半导体鳍，在半导体鳍上形成虚设栅极电极，蚀刻半导体鳍的末端部分，实施外延以重新生长源极/漏极区，以及在栅极电极和源极/漏极区上形成接触插塞。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供半导体装置的制造方法。此方法包含在半导体装置的第一表面上沉积抑制剂层；通过实施第一组沉积循环在半导体装置的第二表面上沉积膜，其中每一个沉积循环包含在第二表面上方吸附第一前驱物，实施第一吹净工艺，在第二表面上方吸附第二前驱物，及实施第二吹净工艺；以及实施与第一吹净工艺或第二吹净工艺不同的第三吹净工艺。

根据本公开的一些实施例，提供半导体装置的制造方法。此方法包含在半导体基底上方形成装置的栅极结构，处理装置的第一表面以抑制第一前驱物或第二前驱物吸附至装置的第一表面上，将装置暴露于第一前驱物并将装置暴露于第二前驱物，以在装置的栅极结构的第二表面上形成介电层的第一部分，其中第二表面相邻第一表面且其中第二表面是与第一表面不同的材料，将气体流过第一表面以从第一表面移除第一前驱物和第二前驱物，以及将装置暴露于第一前驱物和第二前驱物，以在介电层的第一部分上形成介电层的第二部分。

根据本公开的一些实施例，提供半导体装置的制造方法。此方法包含在基底上形成虚设栅极堆叠，虚设栅极堆叠包含第一材料和与第一材料不同的第二材料，在虚设栅极堆叠的第一材料的第一表面上方形成栅极间隔层，其包含在第二材料的第二表面上方形成抑制剂，及将第一材料的第一表面和抑制剂暴露于前驱物，在基底中形成多个源极/漏极区，移除虚设栅极堆叠以留下开口，以及在开口内形成取代栅极堆叠。

附图说明

通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A-图1I是根据一些实施例，说明选择性沉积的工艺流程。

图2是根据一些实施例，说明选择性沉积的工艺流程。

图3-图8、图9A-图9B、图10A-图10B和图11-图12是根据一些实施例，说明在形成鳍式场效晶体管的过程中各个中间阶段的剖面示意图和透视示意图。

附图标记说明：

100～装置；

102～第一材料；

104～第二材料；

106～氧化物；