[发明专利]一种白光LED芯片结构及制作方法有效
申请号: | 201711190233.2 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN109841643B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 谢春林 | 申请(专利权)人: | 比亚迪半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 姚章国 |
地址: | 518119 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 白光 led 芯片 结构 制作方法 | ||
1.一种白光LED芯片结构,其特征在于,在同一个LED芯片上至少设有两个子芯片,子芯片包括衬底和形成于衬底上的外延层,所述外延层自所述衬底依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层和导电层,通过设置不同子芯片的电子阻挡层的厚度,配合发光层,不同子芯片发出不同波长的光,不同波长的光混合形成白光;
其中,所述子芯片包括蓝光子芯片和黄光子芯片,蓝光和黄光混合形成白光,所述蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,黄光子芯片的电子阻挡层的厚度为70~120nm;或者,
所述子芯片包括蓝光子芯片、绿光子芯片和红光子芯片,蓝光、绿光和红光混合形成白光,所述蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,绿光子芯片的电子阻挡层的厚度为50~100nm,红光子芯片的电子阻挡层的厚度为100~150nm。
2.如权利要求1所述的一种白光LED芯片结构,其特征在于,在同一个LED芯片上相邻的子芯片之间具有隔离区域,隔离区域的深度至少达到缓冲层。
3.一种白光LED芯片结构的制作方法,包括以下步骤:
在芯片衬底上依次外延生长缓冲层、N型半导体层、发光层和电子阻挡层;
对电子阻挡层进行蚀刻,不同的子芯片区域中蚀刻出不同的厚度;
在电子阻挡层上依次生长P型半导体层和导电层;
在相邻子芯片之间蚀刻出隔离区域,隔离区域的蚀刻深度至少达到缓冲层;
所述子芯片包括蓝光子芯片和黄光子芯片,蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,黄光子芯片的电子阻挡层的厚度为70~120nm;或者,
所述子芯片包括蓝光子芯片、绿光子芯片和红光子芯片,蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,绿光子芯片的电子阻挡层的厚度为50~100nm,红光子芯片的电子阻挡层的厚度为100~150nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的