[发明专利]一种白光LED芯片结构及制作方法有效

专利信息
申请号: 201711190233.2 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN109841643B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 谢春林 申请(专利权)人: 比亚迪半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/14;H01L33/00
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 姚章国
地址: 518119 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 白光 led 芯片 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.一种白光LED芯片结构,其特征在于,在同一个LED芯片上至少设有两个子芯片,子芯片包括衬底和形成于衬底上的外延层,所述外延层自所述衬底依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层和导电层,通过设置不同子芯片的电子阻挡层的厚度,配合发光层,不同子芯片发出不同波长的光,不同波长的光混合形成白光;

其中,所述子芯片包括蓝光子芯片和黄光子芯片,蓝光和黄光混合形成白光,所述蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,黄光子芯片的电子阻挡层的厚度为70~120nm;或者,

所述子芯片包括蓝光子芯片、绿光子芯片和红光子芯片,蓝光、绿光和红光混合形成白光,所述蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,绿光子芯片的电子阻挡层的厚度为50~100nm,红光子芯片的电子阻挡层的厚度为100~150nm。

2.如权利要求1所述的一种白光LED芯片结构,其特征在于,在同一个LED芯片上相邻的子芯片之间具有隔离区域,隔离区域的深度至少达到缓冲层。

3.一种白光LED芯片结构的制作方法,包括以下步骤:

在芯片衬底上依次外延生长缓冲层、N型半导体层、发光层和电子阻挡层;

对电子阻挡层进行蚀刻,不同的子芯片区域中蚀刻出不同的厚度;

在电子阻挡层上依次生长P型半导体层和导电层;

在相邻子芯片之间蚀刻出隔离区域,隔离区域的蚀刻深度至少达到缓冲层;

所述子芯片包括蓝光子芯片和黄光子芯片,蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,黄光子芯片的电子阻挡层的厚度为70~120nm;或者,

所述子芯片包括蓝光子芯片、绿光子芯片和红光子芯片,蓝光子芯片的电子阻挡层的厚度为10~50nm,绿光子芯片的电子阻挡层的厚度为50~100nm,红光子芯片的电子阻挡层的厚度为100~150nm。

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