[发明专利]半导体器件和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源区，在第一方向上延伸；以及

第一栅极结构，在与所述第一方向不同的第二方向上延伸，所述第一栅极结构包括功函数金属层；

其中：

所述第一栅极结构的所述功函数金属层包括设置在所述有源区上方的第一区段和不设置在所述有源区上方的第二区段；

所述第一区段具有第一材料组成；以及

所述第二区段具有与所述第一材料组成不同的第二材料组成，其中，所述第一区段和所述第二区段为单个N型或P型晶体管的栅极结构的功函数金属的部分,

所述第一材料组成和所述第二材料组成都包括n型功函数金属，或着所述第一材料组成和所述第二材料组成都包括p型功函数金属。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区包括鳍结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构的第一区段至少部分地包裹在所述鳍结构周围。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区段和所述第二区段在所述第二方向上间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二方向上延伸的第二栅极结构，所述第二栅极结构在所述第一方向上与所述第一栅极结构间隔开；

其中：

所述第二栅极结构包括设置在所述有源区上方的第三区段和不设置在所述有源区上方的第四区段；

所述第三区段具有第三材料组成；以及

所述第四区段具有与所述第三材料组成不同的第四材料组成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述有源区具有在所述第一方向上延伸的边界；

所述第二区段通过第一距离与所述有源区的边界间隔开；以及

所述第四区段通过与所述第一距离不同的第二距离与所述有源区的边界间隔开。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二材料组成不同于所述第四材料组成。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一材料组成和所述第三材料组成相同。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第二区段具有在所述第二方向上测量的第一尺寸；

所述第四区段具有在所述第二方向上测量的第二尺寸；以及

所述第一尺寸不等于所述第二尺寸。

10.一种半导体器件，包括：

有源区，沿着第一方向伸展；

第一纵长栅极，沿着垂直于所述第一方向的第二方向伸展，其中，所述第一纵长栅极包括设置在所述有源区上方的第一部分和不设置在所述有源区上方的第二部分，并且其中，所述第一部分和所述第二部分包括不同的n型功函数金属材料或不同的p型功函数金属材料；以及

第二纵长栅极，沿着所述第二方向伸展并且在所述第一方向上与所述第一纵长栅极分开，其中，所述第二纵长栅极包括设置在所述有源区上方的第三部分和不设置在所述有源区上方的第四部分，并且其中，所述第三部分和所述第四部分包括不同的n型功函数金属材料或不同的p型功函数金属材料。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

所述有源区包括鳍结构；以及

所述第一部分和所述第三部分均包裹在所述鳍结构周围。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

所述有源区具有沿着所述第一方向伸展的边界；

所述第二部分通过第一距离与所述有源区的边界分开；

所述第四部分通过大于或小于所述第一距离的第二距离与所述有源区的边界分开。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一部分和所述第二部分在所述第二方向上间隔开。