[发明专利]一种多晶硅化学机械研磨后的清洗方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：

颗粒物清洗；

第一道刷洗(Brush1)，采用氨水作为清洗剂配合刷子对晶圆表面进行刷洗；

第二道刷洗(Brush2)，采用氢氟酸溶液作为清洗剂配合刷子对晶圆表面进行刷洗。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：

所述化学机械研磨是对多晶硅膜表面所进行的化学机械研磨。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：

所述颗粒物清洗为兆声波清洗(Megasonic)，采用的清洗剂为氨水、双氧水和超纯水的混合溶液(SC1)。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：

在所述第一道刷洗中，所述氨水的浓度为27％-30％，刷洗的时间为20-40s。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：

在所述第二道刷洗中，所述氢氟酸溶液的浓度为0.45％-0.5％，刷洗的时间为10-30s。

6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于：

在所述第二道刷洗中，所述氢氟酸溶液的流量为100-1000ml/min。

7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于：

在所述第二道刷洗中，所述氢氟酸溶液的流量为500-700ml/min。

8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：

在所述第一道和第二道刷洗步骤中，都包括在清洗剂刷洗后采用超纯水进行刷洗以去除清洗剂，刷洗的时间为30-50s。

9.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：

在所述第二道刷洗后，还包括对晶圆干燥的步骤，具体为旋转润湿干燥(Spinrinse Dry)，首先采用超纯水作为润湿剂对晶圆表面做最后的清洗，然后对晶圆进行干燥。