[发明专利]存储电路及操作存储电路的方法

说明书

公开了存储电路和操作存储电路的方法。存储电路包括：多个电可编程存储单元；多个字线，每个都与存储单元中的一个或更多个耦接；多个电可编程非易失性标记存储单元；其中，至少一个字线与标记存储单元中的一个或更多个相关联；以及多个标记位线，每个都与标记存储单元中的一个或更多个相关联；多个标记源线，每个都与标记存储单元中的一个或更多个相关联；其中，对于标记存储单元中的一个或更多个，设置从关联的标记源线和/或标记位线到一个或更多个标记存储单元的物理连接，从而将一个或更多个标记存储单元限定成不可改变的存储状态，其中，标记存储单元被配置成识别处于不可改变的存储状态的相应的一个或更多个标记存储单元的相关联的字线。

技术领域

各种实施例总体上涉及存储电路及操作存储电路的方法。

背景技术

在基本典型的布置中，存储单元可以以矩阵方式布置，其中，在一个方向上存储单元可以连接至公共字线，而在正交方向上它们可以连接至公共位线。更多的分级可以基于这种布置，但在此处这可能是不相关的。

“擦除”操作会影响连接至至少一个字线的所有存储单元，从而将它们全部设置为限定非写入状态的值，例如“1”。

“写入”操作会影响连接至一个字线的一些存储单元，从而将它们设置为限定写入状态的值，例如“0”，其中，可以通过位线来选择要写入的特定存储单元。

“读取”操作可以读取连接至一个字线的一些存储单元，从而产生由“1”和“0”组成的数据，其中，可以通过位线来选择要读取的特定存储单元。

对于所有这些操作，地址可以限定要对哪个字线和(对于擦除操作除外的)哪些位线进行操作。

对于高度安全的存储器的操作，如下可能是必要的：即使在具有对芯片的物理访问的攻击者的情况下，仍能够可靠地验证对预期的存储单元真正执行或已经真正执行了如擦除、写入和读取的存储操作。

如果必须假设攻击者不仅能够操纵擦除、写入和/或读取操作，而且还能够操纵验证操作本身，则这可能是难以实现的。

在某种程度上，目前可以通过使用地址相关数据加密来实现该目的。但是，并非所有相关情况都可以被此覆盖。

发明内容

在各种实施例中，提供了一种存储电路。存储电路可以包括：沿着多行和多列布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；多个字线，每个字线与多个存储单元中的一个或更多个存储单元耦接；多个电可编程非易失性标记存储单元；其中，至少一个字线与多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元相关联；以及多个标记位线，每个标记位线与多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元相关联；多个标记源线，每个标记源线与多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元相关联；其中，对于多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元，设置从相关联的标记源线和/或相关联的标记位线到一个或更多个标记存储单元的物理连接，从而将一个或更多个标记存储单元限定成不可改变的存储状态，其中，多个标记存储单元被配置成标识处于不可改变的存储状态的相应的一个或更多个标记存储单元的相关联的字线。

附图说明

在附图中，相同的附图标记通常在所有不同视图中指代相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是通常重点说明本发明的原理。在下面的描述中，参考以下附图来描述本发明的各种实施例，在附图中：

图1A和1B示出了根据各种实施例的存储电路的示意图；

图1C示出了根据各种实施例的图1A的存储电路的示意图；

图2示出了根据各种实施例的存储电路中的标记位的分布的示意性概览；

图3A和图3B分别示出了根据各种实施例的相应存储电路的一部分的示意图；

图4示出了根据各种实施例的存储电路中的标记位的分布的示意性概览；