[发明专利]AMOLED显示器的测试电路和测试方法、AMOLED显示器有效
申请号: | 201711192556.5 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN107731143B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示器 测试 电路 方法 | ||
1.一种用于AMOLED显示器的测试电路,其特征在于,所述测试电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收第一发光控制信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至第一节点;
所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至所述第三薄膜晶体管的漏极;
所述第三薄膜晶体管的栅极用于接收第二使能信号,且其源极连接至第一节点;
所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收第二扫描信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;
所述第五薄膜晶体管的栅极用于接收第一使能信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;
所述第一使能信号和所述第二使能信号的电位互反。
2.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,当对所述AMOLED显示器的像素驱动电路进行测试时,所述第一使能信号为高电位,所述第二使能信号为低电位,所述第一节点根据不同的阶段向所述像素驱动电路输出不同电位的第二发光控制信号。
3.根据权利要求2所述的测试电路,其特征在于,当在初始化阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;
当在阈值电压储存阶段时,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号;
当在发光驱动阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为低电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
4.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,当所述AMOLED显示器的像素驱动电路正常驱动显示时,所述第一使能信号为低电位,所述第二使能信号为高电位,所述第一节点根据不同的阶段向所述像素驱动电路输出不同电位的第二发光控制信号。
5.根据权利要求4所述的测试电路,其特征在于,当在初始化阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;
当在阈值电压储存阶段时,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;
当在发光驱动阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为低电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
6.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
7.根据权利要求1或6所述的测试电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至所述第五薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711192556.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。