[发明专利]一种硅基微小型MEMS滤波器在审
| 申请号： | 201711192864.8 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108134164A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金钊;杜鑫;王幼松 | 申请（专利权）人： | 北京遥感设备研究所 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 孔晓芳 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基 金属馈线 过渡线 通带频率 微小型 滤波器 微波输入信号 底层金属层 顶层金属层 传输特性 衰减特性 信号传输 信号提供 馈入 指形 阻带 | ||
1.一种硅基微小型MEMS滤波器，包括：硅基(1)，其特征在于还包括：硅基杆(3)、硅基过渡线(4)、底层金属层(5)、顶层金属层(7)和金属馈线(8)；
其中硅基(1)为长方体外形，硅基杆(3)为矩形杆，硅基过渡线(4)为Z形，所述Z形的硅基过渡线(4)由两个水平段和一个竖直段构成；金属馈线(8)为长条形；
所述硅基(1)上表面挖有周期性的几字形凹槽(2)，凹槽(2)两端均以几字形的竖直段凹槽结束，周期性的几字形凹槽(2)使得硅基(1)内部形成有成交指形的N个矩形硅基杆(3)；凹槽(2)的槽深小于硅基(1)的高度；在周期性的几字形凹槽(2)两端的竖直段凹槽的内部置有两个彼此对称的Z形硅基过渡线(4)，硅基过渡线(4)与硅基(1)的高度一致，硅基过渡线(4)一端的水平段与紧邻的硅基杆(3)相贴合，硅基过渡线(4)另一端的水平段与远离硅基杆(3)的凹槽(2)侧壁相贴合，且硅基过渡线(4)另一端的水平段轴线与硅基(1)的轴线重合；在硅基(1)下表面覆有底层金属层(5)，底层金属层(5)与硅基(1)下表面的尺寸大小一致；在硅基(1)及硅基过渡线(4)上表面覆有两端各带有两根长条形缺口(6)的顶层金属层(7)，两根长条形缺口(6)间夹有的长条形金属馈线(8)的轴线与硅基(1)的轴线重合；沿着硅基(1)上表面内侧一周设置有一圈矩形金属化通孔(9)，该金属化通孔内壁覆有一层金属层。
2.如权利要求1所述的硅基微小型MEMS滤波器，其特征在于:微波输入信号经由一端的金属馈线(8)馈入，经过硅基过渡线(4)，到达N个成交指形的硅基杆(3)处，并由此对通带频率内信号提供传输特性并在阻带内提供衰减特性，再经过另一端的硅基过渡线(4)及金属馈线(8)将通带频率内信号传输出去。
3.如权利要求1所述的硅基微小型MEMS滤波器，其特征在于:周期性的几字形凹槽(2)使得硅基(1)内部形成有成交指形的N个矩形硅基杆(3)，其中N≥3。
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