[发明专利]一种利用低温溶液反应制备SnO2

权利要求书

1.一种利用低温溶液反应制备SnO₂薄膜的方法，其特征在于，包括步骤：

(1)四氯化锡水溶液的制备：

将去离子水倒入容器内，用保鲜膜封闭容器口，然后将装有去离子水的容器放置于冰箱内，使去离子水完全冻结，形成冻结冰；

将装有所述冻结冰的容器置于水浴锅内，将四氯化锡溶液滴入容器中，此时除所述四氯化锡溶液的滴入口外，所述容器口有保鲜膜掩盖；

另取去离子水并倒入所述容器中，搅拌直至冰水完全溶解，制得四氯化锡水溶液；

(2)电子传输层SnO₂薄膜的制备：

将清洗干净的FTO导电玻璃基底的电极端用高温胶带覆盖，然后置于等氧离子清洗机内处理；

将FTO导电玻璃基底放入溶液瓶内，并且将覆盖有FTO层的一面向下；

将所述四氯化锡水溶液倒入所述溶液瓶内，直至所述四氯化锡水溶液的液面将所述FTO层完全覆盖；

拧紧所述溶液瓶的瓶盖，将所述溶液瓶放入烘箱内加热，加热温度是100℃，恒温时间是2.5h；结束后，待其降至室温，取出FTO导电玻璃基底，用无水乙醇冲洗所述FTO导电玻璃基底的表面，用氮气吹干玻璃，放入烘箱内加热，加热温度是100℃，恒温时间是1h，低温溶液反应即为在100℃的加热温度下反应；

取出FTO导电玻璃基底，用臭氧处理，制得电子传输层SnO₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的利用低温溶液反应制备SnO₂薄膜的方法，其特征在于：步骤(1)中，首次倒入容器内的去离子水与四氯化锡溶液的体积比为20：1.1，首次倒入容器内的去离子水与第二次倒入容器内的去离子水的体积比为2：3。

3.根据权利要求1所述的利用低温溶液反应制备SnO₂薄膜的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述水浴锅的温度为0℃。

4.根据权利要求1所述的利用低温溶液反应制备SnO₂薄膜的方法，其特征在于：步骤(1)中，第二次倒入容器内的去离子水的水温低于5℃。

5.根据权利要求1所述的利用低温溶液反应制备SnO₂薄膜的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述等氧离子清洗机的处理时间为10min。

6.根据权利要求1所述的利用低温溶液反应制备SnO₂薄膜的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述臭氧处理的时间是8min。

7.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：

提供FTO导电玻璃基底；

在所述FTO导电玻璃基底上利用如权利要求1-6任意一项的SnO₂薄膜的制备方法制备SnO₂薄膜电子传输层；

在所述SnO₂薄膜电子传输层上用旋涂法形成MAPbI₃钙钛矿光吸收层；

在所述MAPbI₃钙钛矿光吸收层上采用旋涂法制得空穴传输层；

在所述空穴传输层上用真空蒸镀法蒸镀金属电极，形成钙钛矿薄膜电池。

8.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述FTO导电玻璃基底的厚度为400nm，所述SnO₂薄膜电子传输层的厚度为20nm，所述MAPbI₃钙钛矿吸光层的厚度为450nm，所述空穴传输层的厚度为100nm，所述金属电极的厚度为80nm。