[发明专利]一种消除介质层针孔缺陷影响的方法在审
申请号: | 201711193289.3 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN108039338A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 刘骅锋;涂良成;宋萧萧;王秋;饶康;渠自强;伍文杰;刘金全;范继 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消除 介质 针孔 缺陷 影响 方法 | ||
1.一种消除介质层针孔缺陷影响的方法,所述介质层位于第一金属层与第二金属层之间,其为所述第一金属层与第二金属层之间的电气绝缘层,其特征在于,在沉积所述第二金属层之前,将所述第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀,刻蚀液通过所述介质层中的针孔缺陷进入所述第一金属层表面,发生所述第一金属层的各向同性刻蚀,使得所述第一金属层形成无金属区域,所述无金属区域的横向尺寸大于所述针孔缺陷的横向尺寸,所述无金属区域的纵向尺寸等于所述第一金属层的厚度。
2.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)沉积第一金属层;
(2)在所述第一金属层表面沉积介质层薄膜,所述介质层薄膜中含有针孔缺陷;
(3)将步骤(2)所述第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀,刻蚀液通过所述介质层中的针孔缺陷进入所述第一金属层表面,发生所述第一金属层的各向同性刻蚀,使得所述第一金属层形成无金属区域,所述无金属区域的横向尺寸大于所述针孔缺陷的横向尺寸,所述无金属区域的纵向尺寸等于所述第一金属层的厚度;
(4)在所述介质层薄膜表面沉积第二金属层。
3.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,进行所述湿法刻蚀时,所述刻蚀液的温度为30~80℃。
4.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,进行所述湿法刻蚀时,同时进行超声处理。
5.如权利要求4所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,所述超声功率为40~100W,超声时间为2~30min。
6.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,所述针孔缺陷的横向尺寸为0.5~5μm。
7.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,所述无金属区域的横向尺寸为所述针孔缺陷横向尺寸的2~5倍。
8.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,所述介质层为绝缘介质层,其优选为二氧化硅或氮化硅。
9.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,所述第一金属层的厚度为50~1000nm。
10.如权利要求1所述的消除介质层针孔缺陷影响的方法,其特征在于,所述第一金属层的金属材料为钛、金、铬、铝和镍中的一种或多种。
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