[发明专利]一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

(1)将所用衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中进行超声清洗；

(2)将La_0.7Sr_0.3MnO₃靶材和步骤(1)中的衬底放入脉冲激光沉积设备中；

(3)对脉冲激光沉积设备进行真空作业，达到高真空状态，真空度达到后对衬底进行加热，加热温度为720～740℃；

(4)对步骤(3)中所得高真空状态的脉冲激光沉积设备进行流动氧循环作业；

(5)对步骤(4)中的脉冲激光沉积设备进行沉积操作，得到不同厚度的La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ薄膜；

(6)对所得薄膜进行XRD测试，得到晶格参数a_film、c_film；

(7)根据薄膜的晶格参数，按照公式(1)计算得到La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ薄膜的泊松比；

式中a_film、c_film、a_bulk分别为薄膜a轴、c轴和靶材的晶格参数，其中靶材晶格参数

步骤(1)所述衬底为SrTiO₃(001)衬底，衬底晶格参数须大于La_0.7Sr_0.3MnO₃靶材晶格参数，且误差范围为

步骤(4)所述流动氧循环作业的氧压为1×10^-2～1×10^-4Pa；

步骤(5)所述La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ薄膜厚度范围为10～70nm。

2.根据权利要求1所述一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述高真空状态的真空度为1×10^-3～1×10^-5Pa。

3.根据权利要求1所述一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(5)所述脉冲激光沉积的工艺条件为激光脉宽为10ns，激光能量150～200mJ，激光频率1～5Hz沉积时长为5～25min。