[发明专利]介电层粗磨方法、存储器制作方法、存储器及电子设备有效
| 申请号： | 201711194490.3 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107968051B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周小红;杨俊铖;闵源;蒋阳波;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层粗磨 方法 存储器 制作方法 电子设备 | ||
1.一种多层层间介电层的粗磨方法，其特征在于，包括：
提供已沉积多层层间介电层的目标晶圆；
将目标晶圆放入研磨设备中进行粗磨；
确定目标研磨盘的驱动马达的马达扭矩，其中，所述目标研磨盘为研磨设备中研磨目标晶圆的研磨盘；
根据所述驱动马达的马达扭矩确定当前正在研磨的介电层；
若当前正在研磨的介电层为目标介电层，则停止研磨；
其中，所述根据所述驱动马达的马达扭矩确定当前正在研磨的介电层，包括：根据所述驱动马达的马达扭矩的变化趋势确定当前正在研磨的介电层；
其中，若所述层间介电层的数量为两层，分别为氮化硅层和氧化硅层，则所述根据所述驱动马达的马达扭矩的变化趋势确定当前正在研磨的介电层，包括：
若所述马达扭矩的变化趋势为逐渐减小，则判断当前正在研磨的介电层为氧化硅层；
若所述马达扭矩的变化趋势为逐渐增大，则判断当前正在研磨的介电层为氮化硅层；
若所述马达扭矩的变化趋势为由逐渐减小变为逐渐增大，则判断当前正在研磨的介电层为氧化硅层与氮化硅层的界面。
2.根据权利要求1所述的多层层间介电层的粗磨方法，其特征在于，所述确定目标研磨盘的驱动马达的马达扭矩，包括：
采集目标研磨盘的驱动马达的驱动电流信号；
根据所述驱动电流信号确定所述驱动马达的马达扭矩。
3.根据权利要求1所述的多层层间介电层的粗磨方法，其特征在于，所述多层层间介电层包括：多层具有不同摩擦阻力的介电层，或者多层摩擦阻力随研磨时长具有不同变化趋势的介电层。
4.根据权利要求3所述的多层层间介电层的粗磨方法，其特征在于，所述多层层间介电层包括：氮化硅层和氧化硅层。
5.一种三维存储器制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成有源层，所述有源层包括三维存储单元和外围电路；
在所述有源层之上形成多层层间介电层；
采用权利要求1至4任一项所述的多层层间介电层的粗磨方法，对所述多层层间介电层进行粗磨；
采用细磨工艺对粗磨后的所述多层层间介电层进行细磨；
在细磨后的所述多层层间介电层之上形成金属布线层；
形成所述金属布线层中金属布线与所述有源层中三维存储单元和外围电路的接触线。
6.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器根据权利要求5所述的三维存储器制作方法制作而成。
7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中设置有权利要求6所述的三维存储器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711194490.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
