[发明专利]一种射频功率单刀双掷开关电路

说明书

本发明公开了一种射频功率单刀双掷开关电路，包括功率放大电路、滤波电路、稳压电路和单刀双掷开关电路，所述功率放大电路与所述滤波电路连接，所述滤波电路与所述稳压电路连接，所述稳压电路与所述单刀双掷开关电路连接，其中，所述功率放大电路包括IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C1、三极管Q1、三极管Q2、放大器A1、放大器A2和电源。有益效果:本发明相比于传统的单刀双掷开关电路，有效地满足了通讯系统大功率的工作条件，从而有效地保证了系统电路的正常工作，从而有效地提高了其在移动通信系统中的应用方便性。

技术领域

本发明涉及微波单片集成电路技术领域，具体来说，涉及一种射频功率单刀双掷开关电路。

背景技术

DC-2000MHz的微波系统，特别是移动通信系统中，功率放大器PA到天线ANT和低噪声放大器LNA到天线间通常需要一个功率开关SW来控制收发切换。在目前的微波通讯系统中，功率开关通常有两种形式，一种是采用分立的硅(si)材料的PIN二极管，采用混合电路的方式完成，其特点是体积大，工作频带窄，控制电路复杂。另一种是采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片开关，PHEMT开关具有体积小，应用频带宽，使用方便的特点，但通过的功率相对较小。随着移动通信系统的不断发展，对系统的性能，频率带宽，集成度，体积，成本的要求越来越高，因此PHEMT开关的应用越来越广泛。目前通信的商用PHEMT开关产品，频率覆盖范围DC-6GHz，功率在2GHz处，P-1功率10W。随着一些新的通讯系统的研制和开发，希望功率开关可以处理大于10W的功率，目前传统的砷化镓(GaAs)PHEMT开关单片性能上无法实现。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出一种射频功率单刀双掷开关电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本发明的技术方案是这样实现的：