[发明专利]一种光电转换组合体、太阳能电池及供电设备

权利要求书

1.一种光电转换组合体，其特征在于，包括：

背电极；

由二氧化硅形成的钝化层，所述钝化层形成于所述背电极；

硅基材，所述硅基材以P型掺杂区邻近所述钝化层的方式形成于所述钝化层，所述硅基材两个相对的表面均被构造有陷光结构，所述背电极通过贯穿所述钝化层而与所述硅基材形成欧姆接触；

由二氧化硅形成的减反调节层，所述减反调节层以邻近所述硅基材的N型掺杂区的方式形成于所述硅基材，所述减反调节层具有贯穿并能够暴露所述硅基材的表面的穿孔；

形成于所述减反调节层表面以及通过所述穿孔暴露的所述硅基材的石墨烯，所述石墨烯与所述硅基材构成肖特基接触的肖特基异质结，且所述硅基材与所述石墨烯接触的表面经过了钝化处理以形成所述陷光结构；

表面电极，所述表面电极形成于由所述穿孔暴露的所述硅基材，且所述表面电极与所述石墨烯结合，且所述表面电极与所述硅基材形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的光电转换组合体，其特征在于，所述陷光结构为粗糙层。

3.根据权利要求2所述的光电转换组合体，其特征在于，所述粗糙层具有绒面结构、锥形纳米结构。

4.根据权利要求1所述的光电转换组合体，其特征在于，所述表面电极呈梳状或S型布置。

5.根据权利要求1所述的光电转换组合体，其特征在于，所述表面电极采用金、银、钛、铂、导电氧化物、镍中任一种制作而成。

6.根据权利要求1所述的光电转换组合体，其特征在于，所述硅基材是单晶硅、多晶硅、非晶硅中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的光电转换组合体，其特征在于，所述减反调节层形成至所述硅基材的内部，所述减反调节层向所述硅基材内部延伸的深度为1.0～1.6微米，所述石墨烯为单层或多层且总厚度为30～60nm。

8.一种太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求1～6中任一项所述的光电转换组合体。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还还包括玻璃面板，所述玻璃面板形成于所述表面电极的表面。

10.一种供电设备，其特征在于，包括匹配连接的供电接口和电池组，所述电池组包括至少一个如根据权利要求8或9所述的太阳能电池，当所述太阳能电池的数量为两个及以上时，各个所述太阳能电池之间串联或并联。