[发明专利]一种显示设备、显示基板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种显示设备、显示基板及其制作方法，该显示基板包括半导体有源层，该半导体有源层包括第一半导体氧化层与第二半导体氧化层，且第一半导体氧化层位于第二半导体氧化层与衬底基板之间，第一半导体氧化层的导电率低于第二半导体氧化层的导电率，第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。本发明可减少一次光刻工艺，也使得在蚀刻源漏极金属层时，半导体有源层不会受到损伤。

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，特别是涉及一种显示设备、显示基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，尤其是液晶电视发展的更为迅速，其尺寸、和分辨率不断地提高，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的一个主流。目前世界上最大的液晶电视已经超过100英寸。随着TFTL-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，采用了更高频率的驱动电路，图像信号的延迟变的更为严重，信号延迟成为制约大尺寸、高分辨率TFT-LCD显示效果的关键因素之一。

本申请的发明人在长期研发中发现，在制作阵列基板的过程中，需要在栅极绝缘层上制作半导体有源层，然后在半导体有源层上形成源漏极。然而，在制作源漏极的时候很容易会损伤半导体有源层，为了避免半导体有源层受到损伤，现有技术的做法是先在半导体有源层上先制作一层蚀刻阻挡层(即保护层)，然后再沉积制作源漏极的金属层，这样一来就增加了一次光刻工艺，大大地影响了生产效率。

发明内容

本发明主要提供一种显示设备、显示基板及其制作方法，以解决现有技术中需要先在半导体有源层上制作一层金属蚀刻阻挡层(即保护层)再沉积制作源漏极的金属层，进而影响生产效率的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一技术方案如下：

一种显示基板的制作方法，其包括：

在衬底基板的一侧设置第一半导体氧化层；在所述第一半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置第二半导体氧化层；在所述第二半导体氧化层上形成源漏极金属层；其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一技术方案如下：

一种显示基板，其特征在于，包括:设于衬底基板一侧上的半导体有源层，所述半导体有源层包括相互层叠的第一半导体氧化层与第二半导体氧化层，且所述第一半导体氧化层位于所述第二半导体氧化层与所述衬底基板之间；其中，所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护所述第一半导体氧化层以使其不受损伤。

为解决上述技术问题，本发明采用的又一技术方案如下：

一种显示设备，其包括上述的显示基板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在衬底基板一侧上依次设置相互层叠的第一半导体氧化层与第二半导体氧化层所组成的半导体有源层，且所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率，使得所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时，作为保护层保护所述第一半导体氧化层以使其不受损伤，比现有技术的方案减少了一次光刻工艺，并且不会影响生产效率。

附图说明

图1是本发明的显示基板一实施方式的部分剖面结构示意图，或显示基板的制作方法一实施方式的形成钝化层与像素电极层后的部分剖面结构示意图；

图2是本发明的显示基板一实施方式的俯视图；