[发明专利]低电容二端闸流体构造及其制造方法在审
| 申请号： | 201711201469.1 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109841690A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 宋孟龙;黄俊翔 | 申请（专利权）人： | 百福林企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闸流体 掺杂 光罩 崩溃电压 点区域 扩散法 基板 接面 制造 沟槽蚀刻 接面电容 低掺杂 低电容 区域层 双信道 三层 扩散 | ||
【权利要求书】：
1.一种闸流体构造，可得低接面电容并低崩溃电压的双信道闸流体，其特征在于，至少包含：
一片第1型(例如N－型)低浓度高阻值硅基板；
第1型硅基板两面有低浓度第2型(例如P型)掺杂层；
第1型硅基板四周形成绝缘凹槽；
第2型掺杂层上有第3型区域层及点区域，在凹槽及第2型区域有第3型与第2型相连形成NP接面的区域；
绝缘、金属化区域。
2.一种闸流体的制造方法，达到低接面电容并低崩溃电压的双信道闸流体，其特征在于，至少包含下列步骤：
在第1型低浓度高阻值硅基板双面同时以扩散法掺杂低浓度第2型杂质，以降低崩溃电压及接面电容；
以第一光罩在闸流体四周进行蚀刻，以形成绝缘凹槽；
以第二光罩在高浓度第2型上以扩散法掺杂第3型区域层及不扩散第3型的点区域，并利用光罩设计，在第3型掺杂时使第3型与第2型相连形成NP接面，以降低主接面的崩溃电压；
完成绝缘、金属化后续工艺。
3.如权利要求1或2的硅基板，其特征在于，该第1型低浓度高阻值硅基板的掺杂浓度低于6.8×1016atom/cm。
4.如权利要求1或2的硅基板，其特征在于，该高浓度第2型层的掺杂浓度低于7.7×1013atom/cm。
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