[发明专利]对多孔质膜进行蚀刻的方法

说明书

本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定。

本案是申请日为2016年4月20日、申请号为201610248184.2、发明名称为“对多孔质膜进行蚀刻的方法”的专利申请的分案申请。

本发明要求了如下申请的优先权，其与本发明的关系如下：本发明是于2016年4月18日申请的申请序列号为15/131,459的共同未决美国申请的继续申请并要求该申请的优先权；此外，本发明和申请序列号为15/131,459的美国申请还要求了于2015年4月20日申请的申请号为2015-085878的日本专利申请的优先权。上述每个在先申请均被要求了优先权，并且上述在先申请的全部内容均被援引在此作为参考。

技术领域

本发明的实施方式涉及对多孔质膜进行蚀刻的方法。

背景技术

半导体设备这样的电子设备中，有时使用多孔质膜。作为多孔质膜，例如，可以使用SiOC膜这样的由低介电常数材料构成的膜。在这样的电子设备的制造中，进行如下处理：将通过光刻法在光致抗蚀剂形成的细微图案通过等离子体蚀刻根据需要转印到TiN膜、SiO₂膜或Si₃N₄膜这样的硬掩模上，接着将该图案转印到多孔质膜。

多孔质膜的等离子体蚀刻中，通过在等离子体处理装置的处理容器内使蚀刻用的气体激发，生成自由基，但自由基侵入多孔质膜的细孔(微孔)内会对多孔质膜带来损伤。因此，提出了保护多孔质膜不受自由基损伤的几种技术方案。

例如，在非专利文献1中，记载了通过对多孔质膜在极低温下进行蚀刻，使反应产物在多孔质膜中冷凝的技术。在该技术中，利用在多孔质膜中冷凝的反应产物，抑制自由基侵入该多孔质膜中。为了使这样的反应产物冷凝，将多孔质膜的蚀刻时的温度设定在-70℃以下。

另外，在非专利文献2中，记载了使PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯树脂)浸透在多孔质膜中，利用该PMMA抑制自由基向多孔质膜中侵入的技术。该技术中，在多孔质膜的蚀刻结束之后，通过利用氢气和氦气的混合气体的等离子体处理、或激光退火这样的后处理除去PMMA。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：Liping Zhang等、Damage Free Cryogenic Etching of a PorousOrganosilic a Ultralow-k Film、ECS Solid State Lett.2013volume 2,issue 2,N5-N7

非专利文献2：Markus H.Heyne等、Quantitative characterization of porestuffing and unstuffing for postporosity plasma protection of low-kmaterials、Journal of Vacuum Science&Technology B32,0622 02(2014)

发明内容

发明所要解决的课题