[发明专利]一种含锗镓物料浸出除砷的方法有效
申请号: | 201711203034.0 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107974560B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 邓永贵;蔡能文;胡雷;张文凡;卢方财;张涛 | 申请(专利权)人: | 衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司 |
主分类号: | C22B3/08 | 分类号: | C22B3/08;C22B15/00;C22B3/26;C25C1/12;C22B41/00;C22B58/00;C22B23/00;C22B3/46 |
代理公司: | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人: | 张建青 |
地址: | 324012 浙江省衢州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 浸出 浸出率 含砷合金 湿法冶炼 氧化处理 碱消耗 酸循环 铁杂质 常压 富集 铜电 硫酸 合金 节能 金属 环保 | ||
本发明公开了一种含锗镓物料浸出除砷的方法。含砷合金,采用传统氧化处理方法不经济,锗的浸出率低,且合金中铁、砷的含量高,影响锗、镓富集的品质,本发明通过采用常压浸出与压力氧化浸出结合,除去砷和铁杂质,同时提高锗、镓和铜等金属浸出率;又采用浸出与铜电积的结合,酸循环利用,最大程度节省硫酸、碱消耗,是一种高效、环保、节能的湿法冶炼方法。
技术领域
本发明涉及含砷物料的处理方法,特别是涉及一种含锗镓物料浸出除砷的方法。
背景技术
刚果金的部分钴铜矿体中含有一定量的锗、镓稀散金属,经火法冶炼并粒化后的钴铜铁合金粉末中含锗、镓稀散金属。采用传统氧化处理方法不经济,锗的浸出率低,且合金中铁、砷的含量高,影响锗、镓富集的品质,也影响作业环境和职业健康。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是目前锗的浸出率低和因合金中铁、砷的含量高而影响锗、镓富集的品质,提供一种含锗镓物料浸出除砷的方法,其使砷在浸出提取过程中被有效脱出,以提高产品沉淀中锗的品质。
为此,本发明采用如下的技术方案:一种含锗镓物料浸出除砷的方法,包括:
1)常压浸出反应
步骤a),将含砷物料和硫酸置入搅拌槽中,通入空气,在常压下氧化浸出反应,反应温度70-90℃、反应12-36小时、终点硫酸浓度5-15g/L,经固液分离得第一浸出液和第一浸出渣;
步骤b),第一浸出液调节pH值至1-2,经铜萃取,得到萃余液、反萃液,反萃液经第一电积回收第一铜;
2)加压氧化浸出反应
步骤c),将第一浸出渣和萃余液置于反应釜中,通氧气,加压氧化浸出反应,起始固液质量比1:6-1:10、温度180-210℃、初始硫酸浓度10-50g/L,氧分压0.2-0.5MPa,反应2-6h,经固液分离得第二浸出液和第二浸出渣,所述的第二浸出渣中含砷;
步骤d),第二浸出液经第二电积,得第二铜和第二电积后液,其中第二电积后液返回步骤c)中,进行加压氧化浸出反应。
作为优选,步骤b)得到的萃余液部分返回步骤a)中,调整固液质量比为1:6-1:10。
作为优选,通过定期开路将第二电积后液进行如下步骤处理:
步骤e),调整pH值至4.5-5.5,控制温度60-80℃、反应1-3h,经固液分离得第一沉淀和第一滤液,其中第一沉淀富含锗和镓;
步骤f),将第一滤液调整pH值至6-6.5,反应温度60-70℃,反应时间1-3h,固液分离得第二沉淀和第二滤液,从第二滤液回收钴,其中第二沉淀为锗渣;
步骤g),所述的第二沉淀返回步骤c)中参与加压氧化浸出反应。
作为优选,所述的含砷物料为含锗镓的钴铜铁合金,含锗1000-5000g/t,其中Ge/Ga的质量比为1:2-6:1、Ge/As的质量比为1:2-3:1。
作为优选,所述的第二浸出渣中,砷主要以结晶型臭葱石(FeAsO4•2H2O)形式存在。
作为优选,所述的第二浸出液中,砷含量小于0.005g/L,总铁含量小于5g/L。
作为优选,所述的第一沉淀中,Ge/As的质量比大于100:1,Ge/Ga的质量比为1:2-6:1。
作为优选,用氧化镁、氢氧化镁的一种或二种的混合物,调整步骤b)的pH值。
作为优选,用氧化镁、氢氧化镁的一种或二种的混合物,调整步骤e)的pH值。
作为优选,用氧化镁、氢氧化镁的一种或二种的混合物,调整步骤f)的pH值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司,未经衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711203034.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。