[发明专利]蚀刻组合物和通过使用其制造半导体器件的方法

权利要求书

1.对氮化钛(TiN)具有蚀刻选择性的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括：

相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢、大于20重量％且小于40重量％的酸化合物、和0.001重量％-5重量％的腐蚀抑制剂，

其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H₃PO₄)、硝酸(HNO₃)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO₄)、硅酸(H₂SiO₃)、硼酸(H₃BO₃)、乙酸(CH₃COOH)、丙酸(C₂H₅COOH)、乳酸(CH₃CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH₂COOH)，

所述蚀刻组合物的pH小于2，和

氮化钛相对于氮化钽的蚀刻选择性等于或大于500。

2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述腐蚀抑制剂包括如下的至少一种：过硫酸铵、硫酸铵、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、磷酸三铵、氯化铵、乙酸铵、碳酸铵、硝酸铵、碘化铵、1,2,4-三唑、3-氨基三唑、5-氨基四唑、苯并三唑、吡唑、咪唑、抗坏血酸、柠檬酸、琥珀酸、马来酸、丙二酸、巯基乙酸、鞣酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、和没食子酸丙酯。

3.对于氮化钛(TiN)具有蚀刻选择性的蚀刻组合物，其包括过氧化氢、酸化合物、和腐蚀抑制剂，

其中所述酸化合物的重量相对于过氧化氢的重量的比率为1-7，

所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H₃PO₄)、硝酸(HNO₃)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO₄)、硅酸(H₂SiO₃)、硼酸(H₃BO₃)、乙酸(CH₃COOH)、丙酸(C₂H₅COOH)、乳酸(CH₃CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH₂COOH)，

所述蚀刻组合物的pH小于2，和

氮化钛相对于氮化钽的蚀刻选择性等于或大于500。

4.如权利要求3所述的蚀刻组合物，其中所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢和15重量％-50重量％的所述酸化合物。

5.蚀刻组合物，其包括：

相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢、大于20重量％且小于40重量％的酸化合物、和0.001重量％-5重量％的腐蚀抑制剂，

其中所述腐蚀抑制剂为如下的至少一种：过硫酸铵、硫酸铵、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、磷酸三铵、氯化铵、乙酸铵、碳酸铵、硝酸铵、碘化铵、1,2,4-三唑、3-氨基三唑、5-氨基四唑、苯并三唑、吡唑、咪唑、抗坏血酸、柠檬酸、琥珀酸、马来酸、丙二酸、巯基乙酸、鞣酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、和没食子酸丙酯，

所述蚀刻组合物的pH小于2，和

氮化钛相对于氮化钽的蚀刻选择性等于或大于500。

6.如权利要求1、3和5任一项所述的蚀刻组合物，其中所述酸化合物包括磷酸。

7.如权利要求1、3和5任一项所述的蚀刻组合物，其进一步包括：螯合剂和表面活性剂的至少一种。