[发明专利]中转腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体加工设备，包括反应腔室、传输腔室和前端腔室，在所述传输腔室中设置有第一机械手；在所述前端腔室中设置有第二机械手，其特征在于，还包括中转腔室，所述中转腔室与所述前端腔室连通，所述第二机械手能够将被加工工件传输至所述中转腔室中；

所述中转腔室用于去除所述被加工工件表面的残留气体；

所述中转腔室包括腔体、加热装置和排风装置，其中，

在所述腔体内设置有承载装置，用于承载所述被加工工件；

所述加热装置用于对所述被加工工件进行加热，以使所述被加工工件表面的残留气体挥发；

所述排风装置用于排出所述腔体内的气体；

所述排风装置包括负压排风管，所述负压排风管的进气端与所述腔体的内部连通；所述负压排风管的出气端与外部的排风管连接。

2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述承载装置包括支撑本体和设置在所述支撑本体上的一层或者多层支撑片，且多层所述支撑片沿竖直方向间隔排布，每层所述支撑片用于支撑一个所述被加工工件。

3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述支撑片和所述支撑本体均采用导电材料制作，且所述支撑片与所述被加工工件直接接触，以消除所述被加工工件上的静电荷。

4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述支撑片所采用的材料包括聚醚醚酮。

5.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述加热装置包括加热层，所述加热层包覆在所述腔体的外侧表面上，用于加热所述腔体。

6.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述加热装置还包括温度传感器和控制单元，其中，所述温度传感器设置在所述加热层中，用于检测所述加热层的实时温度，并将其发送至所述控制单元；

所述控制单元用于根据所述实时温度控制所述加热层的输出功率。

7.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述加热层包括至少一层硅胶膜层。

8.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述加热层的外表面包覆至少一层保温层。

9.根据权利要求8所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述负压排风管上设置有流量调节阀和流量计，其中，所述流量调节阀用于调节所述负压排风管中的排气流量；所述流量计用于检测所述负压排风管中的排气流量。

10.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述腔体的内侧表面覆盖有保护层，用于保护所述腔体的内侧表面不被所述腔体内的气体腐蚀。

11.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，所述保护层包括至少一层聚四氟乙烯层。