[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成一合金半导体材料层于一半导体基材上，该合金半导体材料层包含一第一元素及一第二元素；

形成一遮罩于该合金半导体材料层上，以提供该合金半导体材料层的一屏蔽部分及该合金半导体材料层的一未屏蔽部分；以及

用来自一辐射源的辐射照射未被该遮罩覆盖而暴露于该辐射源的该合金半导体材料层的该未屏蔽部分，以转化该合金半导体材料层，使得该合金半导体材料层的该未屏蔽部分的一表面区域具有比该合金半导体材料层的该未屏蔽部分的一内部区域高的该第二元素的一浓度，其中该表面区域环绕该内部区域。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中暴露于该辐射中的该合金半导体材料层的每个该未屏蔽部分的暴露时间为大于0s至100ms。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

形成一缓冲层在该半导体基材上；以及

形成该合金半导体材料层在该缓冲层上。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中：

该半导体基材是由选自于由硅、锗以及硅锗所组成的群组的一半导体基材材料所形成，

该缓冲层是由选自于由硅、锗以及硅锗所组成的群组的一缓冲层材料所形成，以及

该半导体基材材料与该缓冲层材料不同。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含：

在形成该缓冲层于该半导体基材前，蚀刻一部分的该半导体基材以形成一凹槽，以及

形成该缓冲层于该半导体基材的该凹槽中。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中一缓冲层材料为锗。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含转化该缓冲层，使得未被该遮罩覆盖的该缓冲层的部分的一表面区域，具有比未被该遮罩覆盖的该缓冲层的部分的一内部区域高的第二元素的浓度，该缓冲层位于该合金半导体材料层下，该遮罩位于该合金半导体材料层上。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中暴露于该辐射中的该合金半导体材料层的每个该未屏蔽部分的暴露时间为1s至100s。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该遮罩是一栅极结构，而该合金半导体材料层的该未屏蔽部分是一源极/漏极区域。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中该辐射照射该合金半导体材料层的该未屏蔽部分以使源极/漏极区域中的掺杂物活化。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在该辐射照射后移除该遮罩；以及

形成一栅极结构于该合金半导体材料层的移除该遮罩的一部分的上方。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

移除具有比该合金半导体材料层的该内部区域高的该第二元素的浓度的该合金半导体材料层的该表面区域；以及

形成一金属层于该合金半导体材料层的该未屏蔽部分上，其中该合金半导体材料层的该未屏蔽部分的表面区域是被移除的。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该辐射源是具有一波长为193nm至1878nm的光辐射的一雷射，或一氩气闪光灯或氙气闪光灯。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该半导体基材位于一载台上，而该载台及该辐射源彼此独立移动。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中该载台或该辐射源是倾斜的，以使来自该辐射源的辐射至该合金半导体材料层的该未屏蔽部分的该表面区域上的一入射角小于90°。