[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201711204535.0 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108630715B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 李次寧 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/341 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 李琳;王建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
一种图像传感器可以包括:像素阵列,其具有按照矩阵结构布置的多个像素;以及图像阵列,其包括按照矩阵结构来布置且通过相应的像素的输出信号来实施的多个图像点。像素阵列中的第一像素的位置可以不对应于图像阵列中的与第一像素相对应的图像点的位置,而像素阵列中的邻近于第一像素的第二像素的位置可以对应于图像阵列中的与第二像素相对应的图像点的位置。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年3月15日提交的编号为10-2017-0032454的韩国专利申请的优先权,其内容通过引用整体合并于此。
技术领域
各种实施例涉及一种半导体器件制造技术,更具体地,涉及一种图像传感器。
背景技术
图像传感器指的是一种将光学图像转变成电信号的器件。近来,由于计算机和通信产业的发展,在诸如数码相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、保安摄像机、医疗微型相机和机器人的各种设备中,对具有高集成度的增强的图像传感器的需求正在增加。
发明内容
各种实施例针对一种增强的图像传感器。
在一个实施例中,一种图像传感器可以包括:像素阵列,其具有按照矩阵结构布置的多个像素;以及图像阵列,其包括按照矩阵结构来布置且通过相应的像素的输出信号来实施的多个图像点。像素阵列中的第一像素的位置可以不对应于图像阵列中的与第一像素相对应的图像点的位置,以及像素阵列中的邻近于第一像素的第二像素的位置可以对应于图像阵列中的与第二像素相对应的图像点的位置。
像素阵列中的第一像素和第二像素可以定位于同一行处,而图像阵列中的与第一像素相对应的图像点可以定位于与对应于第二像素的图像点不同的行处。与像素阵列中的定位于第M行、奇数列处的像素相对应的图像点和与像素阵列中的定位于第(M-1)行或第(M+1)行、偶数列处的像素相对应的图像点可以定位于图像阵列中的同一行处,其中,M是自然数。
每个像素可以包括:光接收器,其包括一个或多个光电转换元件;以及驱动器,其包括选择晶体管,并且定位于邻近于光接收器处。第一像素的驱动器可以定位于第一像素的光接收器的第一侧处,而第二像素的驱动器可以定位于第二像素的光接收器的第二侧处。像素阵列中的定位于奇数列处的像素的驱动器可以定位于其光接收器的第二侧处,而定位于偶数列处的像素的驱动器可以定位于其光接收器的第一侧处。像素阵列中的定位于第M行、奇数列处的像素的驱动器可以分别与定位于第(M-1)行或第(M+1)行、偶数列处的像素的驱动器沿行方向对齐,其中,M是自然数。
像素阵列中的多个像素之中的定位于奇数列处的像素可以具有相同的平面形状,定位于偶数列处的像素可以具有相同的平面形状,而定位于偶数列处的像素的平面形状可以与定位于奇数列处的像素的平面形状沿列方向对称。
在一个实施例中,一种图像传感器可以包括:像素阵列,其具有按照矩阵结构布置的多个像素;以及多个选择线,其沿行方向延伸,并且分别布置在像素阵列的行处。每个像素可以包括:光接收器,其包括一个或多个光电转换元件;以及驱动器,其包括选择晶体管且定位于邻近于光接收器处,以及布置在像素阵列的每个行中的奇数列处的像素可以耦接到与布置在偶数列处的像素不同的选择线。
像素阵列中的定位于奇数列处的像素的驱动器可以定位于其光接收器的第二侧处,而定位于偶数列处的像素的驱动器可以定位于其光接收器的第一侧处。像素阵列中的定位于第M行、奇数列处的像素的驱动器可以分别与定位于第(M-1)行或第(M+1)行、偶数列处的像素的驱动器沿行方向对齐,其中,M是自然数。所述多个选择线可以耦接到相应的像素的选择晶体管的栅极。
所述多个选择线可以沿行方向成之字形耦接到所述多个像素。每个选择线可以具有沿行方向延伸的直线形状。像素阵列中的定位于第M行、奇数列处的像素的驱动器和定位于第(M-1)行或第(M+1)行、偶数列处的像素的驱动器可以耦接到同一选择线,其中,M是自然数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的