[发明专利]晶体管结构、存储单元、存储器阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤1）设置复数个栅极导电层在半导体衬底上，并于所述栅极导电层的侧壁表面及上表面形成隔离结构，于相邻所述隔离结构之间更形成栓导电层，且相邻所述栅极导电层之间的所述栓导电层彼此相连在所述半导体衬底的浅沟槽隔离结构上，其中，所述栓导电层的厚度大于所述隔离结构的高度；

步骤2）对所述栓导电层进行第一刻蚀，第一刻蚀后所述栓导电层的顶面高度小于等于所述隔离结构的顶面高度，所述隔离结构隔离所述栓导电层的第一侧面；

步骤3）于所述隔离结构的外露侧壁表面和上表面形成栓导电定义层，并对在所述浅沟槽隔离结构上的所述栓导电层进行第二刻蚀，以形成隔离槽，其中，所述隔离槽隔离所述栓导电层的第二侧面；

步骤4）于所述栓导电层的所述第二侧面形成一牺牲层；

步骤5）于所述隔离槽内形成一栓导电隔离层，其中，所述牺牲层隔离所述栓导电隔离层和所述栓导电层，以使所述栓导电隔离层不直接接触所述栓导电层的所述第二侧面；

步骤6）对步骤5）所述结构进行厚度修正，以暴露出所述栓导电层；

步骤7）对所述栓导电层及所述牺牲层进行第三刻蚀，使得第三刻蚀后所述栓导电层的顶面高度小于厚度修正后所述隔离结构的顶面高度，并且小于厚度修正后所述栓导电隔离层的顶面高度，以形成凹穴；以及

步骤8）于所述凹穴中填充金属垫层，以形成所述晶体管结构的源极漏极。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于，步骤1）中的所述隔离结构依次包括第一保护层、隔离层、及第二保护层；在步骤2）后，第一刻蚀后所述栓导电层的顶面高度仍大于在所述栅极导电层上所述第一保护层的顶面高度；在步骤7）后，第三刻蚀后所述栓导电层的顶面高度仍大于所述栅极导电层的高度。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于，步骤4）中所述牺牲层更形成于所述栓导电定义层的侧壁表面和上表面。

4.根据权利要求1所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于，当所述栓导电层的所述第二侧面相对于所述第一侧面较不平整而具有边缘缝隙，步骤4）中形成的所述牺牲层填充所述边缘缝隙中，以形成可牺牲突出结构；步骤7）中，同时去除所述突出结构。

5.根据权利要求1所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于，步骤4）中采用原子沉积工艺形成所述牺牲层；所述牺牲层的厚度介于4nm～6nm；所述牺牲层的材料包括氧化硅（SiO₂）。

6.根据权利要求5所述的晶体管结构的制备方法，其特征在于，形成所述牺牲层的反应气体包括SiH₃N(C₃H₇)₂、SiH[N(CH₃)₂]₃、六氯乙硅烷（Si₂Cl₆）、SiH₂(NHtBu)₂或H₂Si[N(C₂H₅)₂]₂与氮气（N₂）及氧气（O₂）的混合气体；其中，SiH₃N(C₃H₇)₂、SiH[N(CH₃)₂]₃、Si₂Cl₆、SiH₂(NHtBu)₂或H₂Si[N(C₂H₅)₂]₂的气体流量为0.2slm～1slm，所述氮气的气体流量为3slm～30slm，所述氧气的气体流量为3slm～10slm，形成所述牺牲层时，反应温度为20℃～80℃，反应压力为常压～1500mtorr，反应时间为3min～60min。