[发明专利]垂直型发光二极管晶粒的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直型发光二极管晶粒的结构，包含：

一金属组合基板，其包含一第一金属层，及两层第二金属层分别位于该第一金属层的上、下表面上，该第一金属层及各该第二金属层通过切割、真空加热及研磨抛光的方式组合，以使该金属组合基板具有高热传导系数、低热膨胀系数与初始磁导率；以及

一磊晶电极层，其位于该金属组合基板上，该第一金属层为镍铁合金，该第二金属层为铜，该金属组合基板的该第二金属层、该第一金属层、该第二金属层的厚度比为1：(2.5～3.5)：1。

2.根据权利要求1的垂直型发光二极管晶粒的结构，其中该磊晶电极层更包含：

一连接金属层，其位于该金属组合基板上；及

至少一磊晶晶粒，其位于该连接金属层上，每一该磊晶晶粒上具有一电极单元。

3.根据权利要求1的垂直型发光二极管晶粒的结构，其中该金属组合基板的厚度小于或等于200μm。

4.根据权利要求1的垂直型发光二极管晶粒的结构，其中该切割为雷射切割，该研磨抛光为化学机械研磨或铜金属抛光方法。

5.根据权利要求1的垂直型发光二极管晶粒的结构，其中该金属组合基板通过该初始磁导率以使该磊晶电极层导通一微电流。

6.一种垂直型发光二极管晶粒的制造方法，包含：

提供一生长基板，并在该生长基板上形成一磊晶层；

提供一金属组合基板，其经由切割、真空加热及研磨抛光形成，其中该金属组合基板更包含一第一金属层及分别位于该第一金属层的上、下表面上的两层第二金属层；

在该金属组合基板上形成连接金属层，该金属组合基板通过该连接金属层以接合至该磊晶层上；

去除该生长基板；

在该磊晶层顶部表面上设置多个电极单元；以及

对应各该电极单元的数量进行分割，以使该金属组合基板上形成多个磊晶晶粒，该第一金属层为镍铁合金，该第二金属层为铜，该金属组合基板的该第二金属层、该第一金属层、该第二金属层的厚度比为1：(2.5～3.5)：1。

7.根据权利要求6所述的垂直型发光二极管晶粒的制造方法，其中形成各该磊晶晶粒后，更能够根据各该磊晶晶粒的组数进行分割，并通过打线及封装，以形成发光二极管。

8.根据权利要求7所述的垂直型发光二极管晶粒的制造方法，其中该发光二极管具有无线生电功能，以进行无线发光。

9.根据权利要求6所述的垂直型发光二极管晶粒的制造方法，其中该金属组合基板具有高热传导系数、低热膨胀系数与初始磁导率。

10.根据权利要求6所述的垂直型发光二极管晶粒的制造方法，其中该金属组合基板的厚度小于或等于200μm。

11.根据权利要求6所述的垂直型发光二极管晶粒的制造方法，其中该生长基板通过化学溶液或雷射方法去除。