[发明专利]一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器在审
| 申请号： | 201711206285.4 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108113668A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 金光武;洪承均;崔相佑;李揆弘 | 申请（专利权）人： | 查姆工程株式会社 |
| 主分类号： | A61B5/0476 | 分类号： | A61B5/0476;A61B5/0478;A61B5/00;A61B5/1455 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脑血氧饱和度 传感器 麻醉 传感部 一体型 束带 检测 深度传感器 测量 | ||
1.一种一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，
由束带(10)和设置在所述束带(10)上的传感部(20)构成，
其中，所述传感部(20)由设置在同一平面上的麻醉深度传感器(21)和脑血氧饱和度传感器(22)构成。
2.根据权利要求1所述的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，
所述麻醉深度传感器(21)由以下结构构成：
接地电极(21a)；
基准电极(21b)，其与所述接地电极(21a)间隔设置；以及
第一测量电极(21c)和第二测量电极(21d)，其分别设置在接地电极(21a)和基准电极(21b)的两侧，使所述接地电极(21a)和基准电极(21b)位于中间所述第一测量电极(21c)和第二测量电极(21d)之间。
3.根据权利要求2所述的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，
所述脑血氧饱和度传感器(22)由以下结构构成：
一对光源(22a)，其向头部照射具有不同波长的红光和近红外光；
一对第一光检测部(22b)，其接收从头部皮肤或头盖骨反射的光；以及
一对第二光检测部(22c)，其接收从脑部反射的光。
4.根据权利要求3所述的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，
所述一对光源(22a)分别设置在所述第一测量电极(21c)与基准电极(21b)之间、以及所述第二测量电极(21d)与接地电极(21a)之间，
所述一对第一光检测部(22b)分别设置在所述光源(22a)与基准电极(21b)之间、以及所述光源(22a)与接地电极(21a)之间，
所述一对第二光检测部(22c)间隔设置在所述基准电极(21b)与接地电极(21a)之间。
5.根据权利要求1所述的一体型麻醉深度及脑血氧饱和度检测传感器，其特征在于，
所述束带(10)在未设置所述麻醉深度传感器(21)和所述脑血氧饱和度传感器(22)的地方形成有褶皱(10a)。
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