[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201711206699.7 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107946347B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 袁志东;李永谦;袁粲;李蒙;蔡振飞;冯雪欢 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可降低发光组件发出的光对非发光区中薄膜晶体管特性的影响。所述OLED显示面板,包括多个亚像素区域,所述亚像素区域包括发光区和非发光区,所述OLED显示面板包括位于所述非发光区的至少三层绝缘层;还包括:衬底以及位于所述发光区且可朝向衬底发光的发光组件;其中,至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由所述非发光区延伸至所述发光区、且位于所述发光组件和所述衬底之间。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示装置具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,因此被广泛应用于显示领域。
现有的OLED显示装置,包括显示区和非显示区,显示区包括发光区和非发光区,发光区包括OLED器件,非发光区包括薄膜晶体管。受工艺限制,发光区发出的光很容易直接照射或者反射到非发光区薄膜晶体管的有源层上,导致薄膜晶体管的阈值电压产生负向漂移,从而引起薄膜晶体管特性发生变化,导致像素产生漏电,无法正常显示。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置,可降低发光组件发出的光对非发光区中薄膜晶体管特性的影响。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种OLED显示面板,包括多个亚像素区域,所述亚像素区域包括发光区和非发光区,所述OLED显示面板包括位于所述非发光区的至少三层绝缘层;所述OLED显示面板还包括:衬底以及位于所述发光区且可朝向衬底发光的发光组件;其中,至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由所述非发光区延伸至所述发光区、且位于所述发光组件和所述衬底之间。
可选的,所述非发光区包括薄膜晶体管,所述发光组件的下表面到所述衬底的距离小于所述薄膜晶体管的有源层的下表面到所述衬底的距离。
可选的,所述发光组件设置在所述衬底的表面上。
可选的,所述发光组件包括依次设置的第一电极、电致发光层、第二电极。
可选的,三个所述亚像素区域构成像素区域,一个所述像素区域内的三个所述亚像素区域的所述发光单元发出的光互为第一基色光、第二基色光、第三基色光。
可选的,四个所述亚像素区域构成像素区域,一个所述像素区域内的四个所述亚像素区域的所述发光单元发出的光互为第一基色光、第二基色光、第三基色光、白光。
第二方面,提供一种OLED显示面板,包括多个亚像素区域,所述亚像素区域包括发光区和非发光区,所述OLED显示面板包括:衬底以及位于所述发光区且设置在所述衬底的表面上的发光组件。
第三方面,提供一种OLED显示装置,包括第一方面或第二方面所述的OLED显示面板。
第四方面,提供一种OLED显示面板的制备方法,所述OLED显示面板包括多个亚像素区域,所述亚像素区域包括发光区和非发光区;所述方法包括:在衬底上形成至少三层绝缘层,至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由非发光区延伸至所述发光区;在形成有至少三层所述绝缘层的衬底上形成发光组件,所述发光组件位于所述发光区。
可选的,所述在衬底上形成至少三层绝缘层,至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由非发光区延伸至所述发光区,具体包括:在衬底上形成至少三层绝缘膜层;对所述绝缘膜层进行图案化,去除所述绝缘膜层位于所述发光区的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的