[发明专利]具有单元结构的半导体器件及其布局方法有效
申请号: | 201711206781.X | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108155186B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 张丰愿;张钧皓;陈胜雄;余和哲;鲁立忠;范妮婉;黄博祥;卢麒友;李卓彦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/092;G06F30/392 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 单元 结构 半导体器件 及其 布局 方法 | ||
本发明的实施例提供了一种半导体器件,包括有源区和结构。有源区在衬底上形成为预定形状并且相对于具有基本平行于对应正交的第一和第二方向的第一和第二轨迹的格栅来布置;有源区被组织为具有第一导电性的第一行和具有第二导电性的第二行的实例。第一行和第二行的每一个实例都包括对应的第一预定数量和第二预定数量的第一轨迹。结构具有至少两个连续的行,包括第一行的至少一个实例和第二行的至少一个实例。在第一方向上,第一行的实例具有第一宽度,并且第二行的实例具有与第一宽度基本不同的第二宽度。本发明的实施例还提供了一种生成半导体器件布局的方法。
技术领域
本发明的实施例总体涉及半导体领域,更具体地,涉及具有单元结构的半导体器件及其布局方法。
背景技术
集成电路(IC)中包括的一个或多个半导体器件包括多个电子器件。一种用于表示半导体器件的方式是利用称为布局图(以下称为布局)的平面图。布局是分层次的,并且被分解为执行如半导体器件的设计规范所指示的更高级功能的各模块。
对于给定的SCD项目,定制单元被设计为具有专门用于给定SCD项目的布置,以便提供(在操作中)专门用于SCD项目的更高级的逻辑功能。相比之下,在没有考虑特定项目的情况下设计标准单元库,并且包括提供 (在操作中)常见的更低级逻辑功能的标准单元。就在布局内的占用面积而言(从平面图的角度来看),定制单元比标准单元更大(通常大得多)。此外,对于给定的库,所有标准单元都具有大小相同的至少一个尺寸(通常,大小为专用库固定尺寸的倍数),以便有助于将标准单元放置到布局中。通常,固定尺寸的方向平行于垂直方向或Y轴,使得固定尺寸被称为标准单元的高度。因此,标准单元被描述为相对于给定的SCD项目而预定义。定制单元可以具有或可以不具有与标准单元的对应尺寸大小相同的至少一个尺寸。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种半导体器件,包括:鳍,形成在衬底上并且布置为基本平行于第一方向;所述鳍被组织为第一行的实例和第二行的实例;所述第一行的每一个实例都包括具有第一导电类型的第一预定数量的鳍;和所述第二行的每一个实例都包括具有第二导电类型的第二预定数量的鳍;栅极结构,形成在所述鳍中对应的鳍上方并且布置为基本平行于第二方向,所述第二方向基本垂直于所述第一方向;以及具有奇数个连续的行的第一结构,包括:所述第一行的偶数个实例;和所述第二行的奇数个实例。
根据本发明的另一个方面,提供了一种半导体器件,包括:有源区,在衬底上形成为预定形状并且相对于具有第一轨迹和第二轨迹的栅格来布置,其中,所述第一轨迹和所述第二轨迹基本平行于对应的第一方向和第二方向,所述第一方向和所述第二方向正交;所述有源区被组织为具有第一导电性的第一行的实例和具有第二导电性的第二行的实例;所述第一行的每一个实例和所述第二行的每一个实例都包括对应的第一预定数量和第二预定数量的第一轨迹;以及具有至少两个连续的行的结构,包括:所述第一行的至少一个实例;和所述第二行的至少一个实例;其中:所述结构中的所述第一行的至少一个实例中的每一个都在所述第一方向上具有第一宽度;和所述结构中的所述第二行的至少一个实例中的每一个都在所述第一方向上具有第二宽度,所述第二宽度基本不同于所述第一宽度。
根据本发明的又一个方面,提供了一种生成布局的方法,所述布局存储在非暂态计算机可读介质上,所述方法包括:生成有源区图案,包括:将所述有源区图案配置为预定形状;相对于具有基本平行于对应的第一方向和第二方向的第一轨迹和第二轨迹的栅格来布置所述有源区图案,其中,所述第一方向和所述第二方向正交;将所述有源区图案配置为第一行的具有第一导电性的实例和第二行的具有第二导电性的实例;并且配置所述第一行的每一个实例和所述第二行的每一个实例以包括预定数量的所述第一轨迹;以及将单元结构限定为具有包含至少两个连续的行的布局布线(PR) 边界,所述至少两个连续的行包括:所述第一行的至少一个实例;和所述第二行的至少一个实例;将所述第一行的至少一个实例在所述第一方向上的宽度设定为与所述第二行的至少一个实例基本不同。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的