[发明专利]一种基于F-P腔的MIMO天线

权利要求书

1.一种基于F-P腔的MIMO天线，其特征在于，所述天线具有如下结构：

金属地板(21)，底层介质基板(22)，多个金属辐射帖片(24)，介质腔(25)，上层介质板(26)，周期性金属贴片(27)；

所述上层介质板(26)与所述周期性金属贴片(27)共同组成部分反射表面(PRS)；

所述部分反射表面(PRS)、介质腔(25)以及金属地板(21)和底层介质基板(22)共同构成F-P振荡腔；所述部分反射表面(PRS)构成所述F-P振荡腔的一端，所述金属地板(21)和底层介质基板(22)构成所述F-P振荡腔的另一端；

所述多个金属辐射贴片(24)设置于所述介质腔(25)内部；

激励源施加于每个金属辐射贴片(24)与所述金属地板(21)之间。

2.根据权利要求1所述的MIMO天线，其特征在于，所述激励源由所述馈电端口(23)施加，每一个馈电端口(23)对应一个激励源。

3.根据权利要求1所述的MIMO天线，其特征在于，所述周期性金属贴片(27)为周期性的阵列形式。

4.一种基于F-P腔的MIMO天线，其特征在于，所述天线具有如下结构：

金属地板(31)，底层介质基板(32)，多个金属辐射帖片(34)，介质腔(35)，上层介质板(36)，周期性金属贴片(37)；

所述上层介质板(36)与所述周期性金属贴片(37)共同组成部分反射表面(PRS)；

所述部分反射表面(PRS)、介质腔(35)以及金属地板(31)和底层介质基板(32)共同构成F-P振荡腔；所述部分反射表面(PRS)构成所述F-P振荡腔的一端，所述金属地板(31)和底层介质基板(32)构成所述F-P振荡腔的另一端；

所述多个金属辐射贴片(34)设置于所述介质腔(35)内部；

双激励源施加于每个金属辐射贴片(34)与所述金属地板(31)之间。

5.根据权利要求4所述的MIMO天线，其特征在于，所述双激励源由所述两个单独的馈电端口(33)施加，每一个馈电端口(33)对应一个激励源。

6.根据权利要求4所述的MIMO天线，其特征在于，所述周期性金属贴片(37)为周期性的阵列形式。

7.一种基于F-P腔的MIMO天线，其特征在于，所述天线具有如下结构：

金属地板(41)，底层介质基板(42)，多个二元天线子阵(44)，介质腔(35)，上层介质板(46)，周期性金属贴片(47)；

所述上层介质板(46)与所述周期性金属贴片(47)共同组成部分反射表面(PRS)；

所述部分反射表面(PRS)、介质腔(45)以及金属地板(41)和底层介质基板(42)共同构成F-P振荡腔；所述部分反射表面(PRS)构成所述F-P振荡腔的一端，所述金属地板(41)和底层介质基板(42)构成所述F-P振荡腔的另一端；

所述多个二元天线子阵(44)设置于所述介质腔(45)内部；

激励源施加于每个二元天线子阵(44)与所述金属地板(41)之间。

8.根据权利要求7所述的MIMO天线，其特征在于，所述激励源由所述同轴馈电端口(43)施加于所述二元天线子阵(44)与所述金属地板(41)之间，每一个同轴馈电端口(43)对应一个激励源。

9.一种基于F-P腔的MIMO天线，其特征在于，所述天线具有如下结构：金属地板(11)，多个激励源(12)，介质腔(13)，部分反射表面(14)；所述介质腔(13)位于金属地板(11)和部分反射表面(14)之间，并与所述金属地板(11)和部分反射表面(14)构成F-P谐振腔结构；在所述介质腔(13)中设置多个激励源(12)。

10.根据权利要求9所述的MIMO天线，其特征在于，所述激励源(12)选自微带辐射贴片、偶极子天线、单极化天线、双极化天线中的一种。