[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 201711208478.3 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107993975B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件制造方法，用于减少阱区中硼损失，其特征在于包括如下步骤：
在衬底上依次形成表面氧化物层和表面氮化物层；
通过刻蚀工艺，在所述衬底中形成STI沟槽，并进行阱区注入，形成有源区；
在所述STI沟槽中，形成第一SiGe层，其覆盖所述STI沟槽的底部和侧壁；
进行Ge浓缩工艺和退火处理，形成第二SiGe层和STI氧化物衬垫层；
填充所述STI沟槽，并进行平坦化处理，形成STI结构；其特征在于，
形成所述第二SiGe层和所述STI氧化物衬垫层的具体方式是：Ge浓缩工艺将所述第一SiGe层中的Ge浓缩到所述衬底中，从而在所述衬底中形成第二SiGe层，同时，在所述STI沟槽的表面形成了所述STI氧化物衬垫层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一SiGe层厚度为Ge的原子含量为15～35％。
3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，Ge浓缩工艺的具体条件为：温度700～100℃，氧气流量3～5slm，时间1～3小时；退火处理的具体条件为：氮气流量3～7slm,温度600～900℃，时间0.5～1.5小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
