[发明专利]一种自对准四重图形技术

权利要求书

1.一种自对准图形工艺方法，其特征在于包括以下步骤：

在待刻蚀层的表面依次沉积形成第一硬掩模层、核心材料层、第二硬掩模层和光刻层，并随后进行光刻以形成图形化的光刻层；

利用图形化的光刻层为掩模对第二硬掩模层进行刻蚀，形成图形化的第二硬掩模层；随后利用图形化的第二硬掩模层作为掩模对核心材料层进行刻蚀，形成图形化的核心材料层；随后去除图形化的第二硬掩模层，并沉积形成覆盖图形化的核心材料层和第一硬掩模层的第一侧墙材料层；

刻蚀以去除水平方向的第一侧墙材料层以形成第一侧墙层；

去除图形化的核心材料层；

沉积形成覆盖第一侧墙层和第一硬掩模层的第二侧墙材料层；

刻蚀以去除水平方向的第二侧墙材料层以形成第二侧墙层；

去除第一侧墙层；

以第二侧墙层为掩模刻蚀第一硬掩模层以形成图形化的第一硬掩模层；

以图形化的第一硬掩模层为掩模刻蚀待刻蚀层以形成沟道。

2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述第一硬掩模层为多晶硅(Poly)。

3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述核心材料层为旋涂的含碳材料(Spin-on Carbon，简称SoC)。

4.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述第二硬掩模层为氮氧化硅(SiON)。

5.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述第一侧墙材料层为氮化硅(SiN)。

6.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述第二侧墙材料层为氧化物。

7.根据权利要求6所述的工艺方法，其特征在于：

沉积所述第二侧墙材料层采用原子层沉积工艺(ALD)。

8.根据权利要求5所述的工艺方法，其特征在于：

所述去除第一侧墙层采用磷酸溶液的湿法刻蚀工艺(Wet Etch)。

9.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述第一侧墙层和第二侧墙层的厚度为最小尺寸(Pitch)的1/4。

10.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述去除水平方向的第一侧墙材料层以及去除水平方向的第二侧墙材料层，采用无阻挡式干法刻蚀(Blanket Dry Etch)。