[发明专利]一种Cd掺杂In2O3多孔纳米球在审
申请号: | 201711208572.9 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN109835943A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 高明超 | 申请(专利权)人: | 沈阳东青科技有限公司 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多孔纳米球 掺杂 氨水 柠檬酸 浓硝酸溶液 气体敏感性 制备高性能 粉末合金 粉末粒度 对甲醛 分散性 灵敏度 气敏性 硝酸铟 硝酸镉 致密化 掺入 晶格 煅烧 生产工艺 尿素 成功 | ||
1.一种Cd掺杂In2O3多孔纳米球的制备原料包括:纯度为99.99%的硝酸铟,质量分数为65%~68%的浓硝酸溶液,纯度为99.99%的硝酸镉,尿素,柠檬酸和氨水。
2.根据权利要求1所述的Cd掺杂In2O3多孔纳米球,其特征是Cd掺杂In2O3多孔纳米球的制备步骤为:将原料按实验设计方案称重、配料,然后将其溶解在溶剂中搅拌使之完全溶解,依次加入配料,搅拌直至溶解完全后,将其pH值调至中性,将溶液转移到高压反应釜中,将高压反应釜置于干燥箱中加热至100℃保温180min,待高压釜冷却后,从高压釜中取出产物,得到前驱体。
3.根据权利要求1所述的Cd掺杂In2O3多孔纳米球,其特征是Cd掺杂In2O3多孔纳米球的检测步骤为:Cd含量采用等离子发射光谱仪分析,显微形貌采用扫描电子显微镜分析,物相组成采用X射线衍射仪分析,组织结构采用透射电镜分析。
4.根据权利要求1所述的Cd掺杂In2O3多孔纳米球,其特征是所述的Cd掺杂In2O3多孔纳米球,采用水热和煅烧工艺制得Cd掺杂In2O3多孔纳米球粉末,粉末粒度分布均匀、分散性良好,当Cd掺杂量较低时得到纯立方相In2O3,当Cd掺杂量达到4%以上时,含有部分CdO相,Cd元素成功掺入到In2O3晶格中,所述的Cd掺杂In2O3多孔纳米球,Cd掺杂不仅可显著提高In2O3对甲醛的灵敏度,而且能降低其工作温度,提高材料的选择性,5%Cd-In2O3的最佳工作温度为70℃,远低于纯In2O3的最佳工作温度90℃,能显著降低In2O3传感器的能耗,所述的Cd掺杂In2O3多孔纳米球,5%Cd-In2O3对6的甲醛在70℃下的灵敏度S高达1000,远高于纯In2O3在120℃取得的最高灵敏度70,而5%Cd-In2O3纳米颗粒对甲醛的响应/恢复时间随温度升高而降低,在70℃下对甲醛响应和恢复时间分别为300s和910s。
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