[发明专利]一种热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷

权利要求书

1.热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷的制备原料包括：平均粒径约40nm，纯度大于99%的纳米级SiC粉末，平均粒径80nm，纯度大于99%的Si粉末，平均粒径约40nm，纯度大于99%的C粉和平均粒径3μm，纯度大于99.9%的亚微米级TiH2粉。

2.根据权利要求1所述的热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷，其特征是热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷的制备步骤为：将原始粉末按实验设计方案称重，配料，配好后倒入硬质合金球磨罐中进行湿磨，将制得的粒料进行真空干燥，干燥时间为50min，干燥温度为40℃，随后加入成形剂进行制粒，将制好的粉末加至压机中进行压制成形，放入真空烧结炉中进行烧结，烧结温度为1200℃，保温时间为90min。

3.根据权利要求1所述的热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷，其特征是热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷的检测步骤为：密度采用排水法测量，显微组织采用Image型光学显微镜观察，物相分析采用XPro型X射线衍射仪上分析，腐蚀形貌采用Quan200型扫描电子显微下观察，维氏硬度采用HVS30维氏硬度计测量，断裂韧性采用压痕法测量，弯曲强度采用WD3100型微机控制电子万能试验机测试，微观形貌采用JSM7001型场发射扫描电子显微镜观察。

4.根据权利要求1所述的热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷，其特征是所述的热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷，以SiC，Ti，C粉末为原料的原位合成反应无副反应发生，更易得到成分符合预期，致密度良好且性能优秀的SiC-TiC复相陶瓷，所述的热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷，以SiC，Ti，C粉末为原料的热等静压原位合成样品，热等静压压力从80MPa提高到140MPa，材料的致密度，三点弯曲强度，硬度以及断裂韧性均得到一定程度的提高，所述的热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷，在1300℃，80MPa，4h热等静压制度下原位合成得到的SiC-32%TiC复相陶瓷具有最好的致密度，硬度，三点弯曲强度以及良好的断裂韧性，分别达到99%，34GPa，514MPa和6MPa·m1/2。