[发明专利]一种偏置电流控制电路、方法以及功率放大控制电路

说明书

本发明公开了一种偏置电流控制电路，包括：压流转换电路和整形控制电路；其中，所述压流转换电路，用于对输入电压进行压流转换，获得转换电流；所述整形控制电路，用于根据第一电流和第二电流，对所述转换电流进行整形控制，获得相应的偏置电流；所述偏置电流跟随所述输入电压呈预设变化，使得功率放大控制电路中的功率放大管，在所述输入电压和所述偏置电流的作用下工作在预设区域。本发明还同时公开了一种偏置电流控制方法和功率放大控制电路。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种偏置电流控制电路、方法以及功率放大控制电路。

背景技术

通常，采用全球移动通信系统(GSM，Global System for Mobile Communication)进行通信时，通信终端需要适时调整输出功率，即要求通信终端中射频(RF，RadioFrequency)功率放大器(PA，Power Amplifier)适时调整输出功率，以满足通信的需求。

图1为集成电路设计中实现功率放大控制的常用电路结构示意图，参照图1所示，该功率放大控制电路可以包括两个金属-氧化物半导体(MOS，Metal-OxideSemiconductor)场效应管，简称MOS管，也可以包括三个MOS管，亦或是更多MOS管，以下将详细介绍包括三个MOS管的功率放大控制电路，这三个MOS管分别用M1～M3表示，另外，该功率放大控制电路还包括一个电阻R1和一个电容C1；其中，M1导通后将偏置电流耦合到M2和M3上，M2和M3用于利用偏置电压VDD对射频信号进行功率放大，电容C1具有隔直流并接收射频输入信号的作用，在电阻R1的配合下，使射频输入信号RFin作用于M1，从而保证该功率放大控制电路的放大功能。同时，在该功率放大控制电路中，偏置电压VDD是随着控制电压Vramp变化而变化的，变化的曲线如图2所示；该电路通过调节控制电压Vramp，来调节偏置电压VDD，进而通过偏置电压VDD实现对输出功率放大能力的控制。从上面的描述可以看出，目前通信终端中RF PA一般是通过调节控制电压Vramp来调整输出功率。

为保证上述功率放大控制电路的稳定运行，M1、M2和M3都需要工作在预设的区域；比如，M1、M2和M3可以工作在饱和区或亚阈值区。然而，当输出中小功率时，控制电压Vramp较小，参照图2所示，偏置电压VDD也较低，在恒定的偏置电流Ibias作用下，M2会进入线性区；此时M2的跨导gm＝Kn*(W/L)*Vds，其中，Kn为常数，W/L为M2的宽长比，Vds为M2的源漏电压；如果M2的工作状态进入到线性区，从M2的跨导公式可知，偏置电压VDD上的干扰会调制到输出信号上，这样，会使GSM RF PA的临道泄漏变差。

发明内容

为解决现有技术存在的问题，本发明实施例期望提供一种偏置电流控制电路、方法以及功率放大控制电路，当输出中小功率时，能够减小偏置电压VDD对射频输出信号的影响，进而改善PA的临道泄漏。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种偏置电流控制电路，所述电路包括：压流转换电路和整形控制电路；其中，

所述压流转换电路，用于对输入电压进行压流转换，获得转换电流；

所述整形控制电路，用于根据第一电流和第二电流，对所述转换电流进行整形控制，获得相应的偏置电流；其中，

所述偏置电流跟随所述输入电压呈预设变化，使得功率放大控制电路中的功率放大管，在所述输入电压和所述偏置电流的作用下工作在预设区域。

上述方案中，所述整形控制电路包括：电流整形控制子电路和电流输出子电路；其中，

所述电流整形控制子电路，用于根据所述第二电流，对所述转换电流的波形参数进行控制，获得控制输出电流；

所述电流输出子电路，用于根据所述第一电流和控制输出电流，获得所述偏置电流。