[发明专利]一种射频功率放大器及其功率控制电路有效

专利信息
申请号: 201711209924.2 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN109842389B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 陈文斌;李啸麟;韩克武;方俊平;刘刚 申请(专利权)人: 锐迪科微电子(上海)有限公司
主分类号: H03G3/30 分类号: H03G3/30;H03F3/193;H03F3/21;H03F1/52;H03F1/08;H03F1/38
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 功率放大器 及其 功率 控制电路
【权利要求书】:

1.一种射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,所述功率控制电路主要由一个低压差稳压器、两个电流源、两个电流比较器组成;低压差稳压器根据控制电压输出供电电压和/或供电电流为射频功率放大器中的功率晶体管供电;电流源一产生基准电流一;电流源二产生基准电流二;

电流比较器一中包含晶体管二,该晶体管二与低压差稳压器中的晶体管一构成电流镜一,电流镜一产生与供电电流成比例的镜像电流一;电流比较器一根据镜像电流一与基准电流一的比较结果,或者向低压差稳压器输出电流,或者从低压差稳压器抽取电流;

电流比较器二中包含晶体管三,该晶体管三与低压差稳压器中的晶体管一构成电流镜二,电流镜二产生与供电电流成比例的镜像电流二;电流比较器二根据镜像电流二与基准电流二的比较结果,向低压差稳压器输出电流。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,

当镜像电流一小于基准电流一时,电流比较器一从低压差稳压器抽取电流,抬高供电电压;

当镜像电流一大于基准电流一时,电流比较器一向低压差稳压器输出电流,降低供电电压。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,

当镜像电流二大于基准电流二时,电流比较器二向低压差稳压器输出电流,降低供电电压;

当镜像电流二小于基准电流二时,电流比较器二既不向低压差稳压器输出电流,也不从低压差稳压器抽取电流。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,

所述低压差稳压器由一个运算放大器、PMOS管一、电阻一和电阻二构成;控制电压连接运算放大器的反相输入端,运算放大器的输出端连接PMOS管一的栅极;电阻一和电阻二之间的FB节点连接运算放大器的正相输入端;PMOS管一、电阻一和电阻二依次级联在电源电压和地之间;PMOS管一的源极连接电源电压;PMOS管一的漏极连接电阻一,同时作为低压差稳压器的输出端,也是整个功率控制电路的输出端。

5.根据权利要求4所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,所述电流比较器一至少包括PMOS管二,PMOS管二与PMOS管一构成了电流镜一;运算放大器的输出端连接PMOS管二的栅极;PMOS管二的源极连接电源电压;PMOS管二的漏极输出镜像电流一;电流比较器一的输出端反馈至低压差稳压器。

6.根据权利要求4所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,所述电流比较器二至少包括PMOS管三,PMOS管三与PMOS管一构成了电流镜二;运算放大器的输出端连接PMOS管三的栅极;PMOS管三的源极连接电源电压;PMOS管三的漏极输出镜像电流二;电流比较器二的输出端反馈至低压差稳压器。

7.根据权利要求5或6所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,PMOS管三的尺寸大于PMOS管二的尺寸。

8.根据权利要求1所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,

所述电流比较器一中还包含电流镜三,用来产生与基准电流一成比例的镜像电流三;电流比较器一根据镜像电流一与镜像电流三的比较结果,或者向低压差稳压器输出电流,或者从低压差稳压器抽取电流;

所述电流比较器二中还包含电流镜四,用来产生与基准电流二成比例的镜像电流四;电流比较器二根据镜像电流二与镜像电流四的比较结果产生补偿电流二;电流比较器二中还包含电流镜五、电流镜六,补偿电流二经过电流镜五、电流镜六后得到补偿电流三,向低压差稳压器输出电流。

9.根据权利要求8所述的射频功率放大器的功率控制电路,其特征是,

当镜像电流一小于镜像电流三时,电流比较器一从低压差稳压器抽取电流,提高了供电电压;

当镜像电流一大于镜像电流三时,电流比较器一向低压差稳压器输出电流,降低了供电电压。

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