[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基板，具有第一表面与第二表面；

第一钝化结构，设置于该硅基板的该第一表面上，所述第一钝化结构包括：

隧穿层，位于该硅基板的该第一表面上，太阳光从该第一表面进入该太阳能电池；以及

多晶硅掺杂层，位于该隧穿层上并与该隧穿层直接接触，该多晶硅掺杂层包括厚度不同的第一区和第二区，其中该第一区的厚度大于该第二区的厚度，该第一区的厚度在50nm～180nm之间，该第二区的厚度大于0且在18nm以下；以及

第一金属电极，位于所述第一钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区上。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于该隧穿层包括氧化硅、氮氧化硅、氧化铝或氮化硅。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于该第一区的面积为大于或等于该第一金属电极的面积。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于该第一区的面积为小于该第一金属电极的面积。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第二钝化结构，设置于该硅基板的该第二表面上，所述第二钝化结构包括：

隧穿层，位于该硅基板的该第二表面上；以及

多晶硅掺杂层，位于该隧穿层上，该多晶硅掺杂层包括厚度不同的第一区和第二区，其中该第一区的厚度大于该第二区的厚度，该第一区的厚度在50nm～500nm之间，该第二区的厚度大于0且在250nm以下。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第二金属电极，位于所述第二钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区上。

7.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于所述第二钝化结构的该隧穿层包括氧化硅、氮氧化硅、氧化铝或氮化硅。

8.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于所述第二钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区的厚度在50nm～300nm之间，所述第二钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第二区的厚度为1/2倍至1/50倍的所述第二钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区的厚度。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于所述第二钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第二区的厚度为1nm～150nm之间。

10.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于所述第二钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区的面积为大于或等于该第二金属电极的面积。

11.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于所述第二钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区的面积为小于该第二金属电极的面积。