[发明专利]LED灯及LED封装工艺

权利要求书

1.一种LED封装工艺，其特征在于，包括：

选择LED芯片；

将所述LED芯片焊接在热沉(21)上，将所述热沉(21)放置于支架上；

在所述LED芯片上形成多层硅胶层以实现对LED芯片的封装，其中，在所述多层硅胶层中与所述LED芯片接触的硅胶层内不含荧光粉；

在所述LED芯片上形成多层硅胶层，包括：

在所述热沉(21)上制备第一硅胶层(22)；

在所述第一硅胶层(22)上制备第一透镜层(23)；

在第一透镜层(23)上制备第二硅胶层(24)；

在所述第二硅胶层(24)上制备第三硅胶层(25)；

在所述第三硅胶层(25)制备第二透镜层(26)；

在所述第二透镜层(26)上制备第四硅胶层(27)。

2.如权利要求1所述的封装工艺，其特征在于，所述LED芯片包括紫外LED芯片。

3.如权利要求2所述的封装工艺，其特征在于，所述紫外LED芯片依次包括蓝宝石衬底、N型AlGaN层、Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN堆栈层、P型AlGaN层、P型GaN层和金属电极，其中0＜y＜x＜0.5。

4.如权利要求3所述的封装工艺，其特征在于，在所述第一硅胶层(22)上制备第一透镜层(23)，包括：

选择第一透镜模具和第二透镜模具，所述第一透镜模具和第二透镜模具形状相同且均包括多个半球形凹槽；

将所述第一透镜模具的多个半球形凹槽与所述第二透镜模具的多个半球形凹槽相对放置，形成多个中空的球型凹槽；

在所述多个中空的球型凹槽中填满硅胶并进行烘烤，形成多个球状硅胶透镜；

去除所述第一透镜模具；

将所述多个球状硅胶透镜压制于所述第一硅胶层(22)上，固化去除所述第二透镜模具，以在所述第一硅胶层(22)上制备第一透镜层(23)。

5.如权利要求4所述的封装工艺，其特征在于，在所述第三硅胶层(25)制备第二透镜层(26)，包括：

选择第三透镜模具和第四透镜模具，所述第三透镜模具和第四透镜模具形状相同且各自均包括多个半球形凹槽；

将所述第三透镜模具的多个半球形凹槽与所述第四透镜模具的多个半球形凹槽相对放置，形成多个中空的球型凹槽；

在所述多个中空的球型凹槽中填满硅胶并进行烘烤，形成多个球状硅胶透镜；

去除所述第三透镜模具；

将所述多个球状硅胶透镜压制于所述第三硅胶层(25)上，固化去除所述第四透镜模具，以在所述第三硅胶层(25)制备第二透镜层(26)。

6.如权利要求5所述的封装工艺，其特征在于，所述第一透镜层(23)、所述第二硅胶层(24)、所述第三硅胶层(25)、所述第二透镜层(26)及所述第四硅胶层(27)中至少一层含有红色荧光粉，至少一层含有绿红色荧光粉，至少一层含有蓝色荧光粉。

7.如权利要求6所述的封装工艺，其特征在于，所述热沉(21)为铜热沉。

8.如权利要求7所述的封装工艺，其特征在于，在所述铜热沉中沿宽度方向形成多个圆形通孔，相邻两个圆形通孔之间的距离为0.5毫米～10毫米，每个所述圆形通孔的口径为0.1毫米～0.3毫米，每个所述圆形通孔的轴向与所述铜热沉的底部之间的夹角为1°～10°。

9.一种LED灯，包括LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用如权利要求1-8任一项所述的封装工艺封装而成。