[发明专利]一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片层G和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层向外依次复合有十三个膜层，其中第一层(1)为SiNx层，第二层(2)为ZnSnO层,第三层(3)为ZnO层，第四层(4)为Ag层，第五层(5)为NiCr层,第六层(6)为TixSiyNz层,第七层(7)为SiNx层,第八层(8)为ZnSnO层，第九层(9)为ZnO层，第十层(10)为Ag层，第十一层(11)为NiCr层，第十二层(12)为TixSiyNz层，第十三层(13)为SiNx层；所述基片G层为透光率可达90％以上的高透玻璃。所述第一层(1)、第二层(2)、第三层(3)为第一电介质组合层，第四层(4)为低辐射功能层，第五层(5)为第一阻挡保护层，第六层(6)为钛掺杂微晶保护层，第七层(7)、第八层(8)、第九层(9)为第二电介质组合层，第十层(10)为低辐射功能层,第十一层(11)为第二阻挡保护层，第十二层(12)为钛掺杂微晶保护层，第十三层(13)为第三电介质层。

2.一种高透过中性色双银低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，本方法包括如下步骤：

1)、磁控溅射镀膜层；

A、磁控溅射第一层(1)：

靶材数量：交流旋转靶3～4个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为18～20nm；

B、磁控溅射第二层(2)：

靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(ZnSn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为7～8nm；

C、磁控溅射第三层(3)：

靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为15～6nm；

D、磁控溅射第四层(4)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为7～7.5nm；

E、磁控溅射第五层(5)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为0.1～0.5nm；

F、磁控溅射第六层(6)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为钛掺杂硅陶瓷；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为5:1，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～6nm；

G、磁控溅射第七层(7)：

靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为42～44nm；

H、磁控溅射第八层(8)：

靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(ZnSn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为,3～5×10-3mbar；镀膜厚度为18～20nm；

I、磁控溅射第九层(9)：

靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为27～29nm；

J、磁控溅射第十层(10)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比：纯氧，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为4～4.5nm；

磁控溅射第十层(10)还可以为：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比：纯氧，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5.5～6nm；

K、磁控溅射第十一层(11)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为0.2～0.4nm；

L、磁控溅射第十二层(12)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为钛掺杂硅陶瓷；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为2～3×10-3mbar；；镀膜厚度为5～6nm；

M、磁控溅射第十二层(13)：

靶材数量：交流旋转靶4～6个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为42～43nm；

2)、镀膜层总厚度控制在200～210nm之间，溅射室传动走速控制在4.5-5.0m/min。