[发明专利]多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器及其制造方法在审
| 申请号： | 201711213278.7 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107783220A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄喆;陈孝平 | 申请（专利权）人： | 浙江科技学院 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙)33234 | 代理人： | 丁海华 |
| 地址： | 310013 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 金属线 结构 薄膜 宽带 赫兹 偏振 及其 制造 方法 | ||
1.多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：包括薄膜衬底(1)，在薄膜衬底(1)上方设有薄膜覆盖层(2)，在薄膜覆盖层(2)内设有多层由金属线(3)周期间隔设置组成的金属线栅(4)，且相邻层的金属线栅(4)交叉设置。
2.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：在薄膜衬底(1)的底部设有铜片托架(5)，铜片托架(5)中部设有通光圆孔(6)，铜片托架(5)的下方设有薄膜基底(7)。
3.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：所述的金属线(3)选自铝线、金线、银线或铬线。
4.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：所述的薄膜覆盖层(2)内设有三层平行设置的金属线栅(4)。
5.根据权利要求1所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器，其特征在于：所述的薄膜衬底、薄膜覆盖层和薄膜基底为薄膜材料，且为Epocore薄膜材料。
6.根据权利要求1至5任一项所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器的制造方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
a、取一铜片，在铜片的表面旋涂一层薄膜，再在该薄膜上沉积一层铝线栅；
b、继续旋涂一层薄膜，再在该薄膜上沉积一层与前一层金属线栅相平行的金属线栅，且该层金属线栅和前一层金属线栅呈交叉设置；重复该步骤再沉积多层金属线栅；
c、最后旋涂一层薄膜封装多层金属线栅结构；
d、在纯铜片的底面旋涂一层薄膜，对薄膜进行软烘干，再在该薄膜的中心部分用光刻技术开设一圆孔；
e、置于三氯化铁溶液中，加温至70～80摄氏度，腐蚀掉露出的铜片，即得到成品。
7.根据权利要求6所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器的制造方法，其特征在于：步骤a中，在薄膜上用微光刻技术和湿法腐蚀技术沉积一层铝线栅。
8.根据权利要求6所述的多层金属线栅结构薄膜宽带太赫兹偏振器的制造方法，其特征在于：步骤e中，腐蚀掉露出的铜片后，进行去离子水清洗和烘干，贴到角度旋转座上，即得成品。
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