[发明专利]发光二极管封装体及其制造方法

说明书

本发明涉及发光二极管封装体及其制造方法，发光二极管封装体包括：分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑第一引线以及第二引线，包括使第一引线以及第二引线中任一个以上的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于腔室内；第一波长部，配置于发光二极管芯片的上部，对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及第二波长部，以覆盖腔室的底面的方式配置，并对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换，第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度不同。由于能够将发光二极管封装体所包含的荧光体的量以配置在发光二极管芯片上的荧光体的量为基准确定，因此能够对决定由发光二极管芯片释放的光的色坐标的荧光体的量进行数值控制。

技术领域

本发明涉及发光二极管封装体及其制造方法，更详细而言，涉及对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换而向外部释放的发光二极管封装体。

背景技术

对照明装置以及显示装置的背光灯等这样的器件广泛使用白色发光二极管。通常通过对释放短波长的光的发光二极管芯片、和用于对由发光二极管芯片释放的光的一部分进行波长转换而转换为长波长的光的荧光体进行封装，来实现白色发光元件。

作为一例，白色发光元件包括释放青色光的青色发光二极管芯片，作为用于对青色光进行波长转换而转换为白色光的荧光体，利用钇铝石榴石(YAG)或者硅酸盐(silicate)系列的单一荧光体，或者利用将KSF系列的红色荧光体和beta-SiAlO_n系列的绿色荧光体混合而成的荧光体。

如上所述，通过将释放青色光的发光二极管芯片和荧光体组合而制造白色发光元件，但此时，为了将由制造出的白色发光元件释放的白色光的色温设定为所期望的色温，需要调节所利用的荧光体的量。

以往，准备将量相互不同的多个荧光体分别与硅树脂等调配而成的多个模制材料，将所准备的多个模制材料填充至发光二极管封装体而制造多个发光二极管封装体。这样制造的多个发光二极管封装体，由于所包含的荧光体的量相互不同，所以各发光二极管封装体能够释放具有相互不同的色温的白色光。

可以在以上述方式制造的多个发光二极管封装体中筛选释放所期望的色坐标的白色光的发光二极管封装体，并将筛选出的发光二极管封装体所包含的荧光体的量设定为基准而大量生产发光二极管封装体。

但是，在这样制造发光二极管封装体时，由于无法确认各发光二极管封装体所包含的荧光体被包含了多少量，所以有可能导致由大量制造出的发光二极管封装体释放的白色光的色坐标不均匀。

另外，为了筛选释放所期望的色坐标的白色光的发光二极管封装体，需要经过制造多个发光二极管封装体的过程，因此存在工序繁杂的问题。

发明内容

本发明所要解决的问题在于，提供能够设定发光二极管封装体内所包含的荧光体的分布以及荧光体的量的基准的发光二极管封装体及其制造方法。

根据本发明的一实施例的发光二极管封装体可以包括：相互分开配置的第一引线以及第二引线；壳体，支撑上述第一引线以及第二引线，并包括使上述第一引线以及第二引线中任意一个以上的上表面一部分露出的腔室；发光二极管芯片，配置于上述壳体的腔室内；第一波长部，配置于上述发光二极管芯片的上部，并对由上述发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及第二波长部，以覆盖上述腔室的底面的方式配置，并对由上述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同。

此时，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率可以为1:1.5至1:3。或者，上述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率可以为1:2。

并且，上述壳体可以包括上述腔室的内侧面由倾斜面形成的面，上述第二波长部可以以覆盖上述倾斜面的至少一部分的方式配置。