[发明专利]一种有机发光二极管器件在审
申请号: | 201711213953.6 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107833957A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 罗艳 | 申请(专利权)人: | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/38 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 胡川 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 器件 | ||
1.一种有机发光二极管器件,其特征在于,包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、发光层、阳极层、介质层和玻璃面板,所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率,所述介质层的折射率大于所述发光层的折射率,所述阳极层具有多个贯通的通孔,所述多个通孔相互之间的间距由所述阳极层的中间向两侧逐渐减小,所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述通孔的形状为圆锥台形,且所述通孔下方的开口直径大于上方的开口直径。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述应力缓冲层的材料为GaInAs。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。
5.根据权利要求3或4所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述氮化镓铝层中铝的组分为20-25%。
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