[发明专利]封装单元和包括该封装单元的有机发光显示装置有效
申请号: | 201711214039.3 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108122953B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 吴载映 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;马晓虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 单元 包括 有机 发光 显示装置 | ||
本发明公开了一种可以防止薄膜晶体管劣化以改善可靠性的封装单元以及一种包括该封装单元的有机发光显示装置。至少一个透明氧化物膜设置于设置在发光元件上的多个无机封装膜中的至少一个无机封装膜下面,因此,至少一个透明氧化物膜中的氧与在形成无机封装膜期间引入的氢结合以防止氢扩散到薄膜晶体管中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请第P2016-0161514号的优先权和权益,其如同在本文中完全阐述一样通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及封装单元和包括该封装单元的有机发光显示装置,更具体地,涉及一种防止薄膜晶体管劣化以改善可靠性的封装单元和包括该封装单元的有机发光显示装置。
背景技术
在平板显示装置中,薄膜晶体管(TFT)用作开关元件和/或驱动元件。根据用作有源层的材料,薄膜晶体管包括使用非晶硅的薄膜晶体管、使用多晶硅的薄膜晶体管和使用氧化物半导体的薄膜晶体管。在所有这些薄膜晶体管当中,使用氧化物半导体的薄膜晶体管与使用非晶硅的薄膜晶体管相比具有较高的迁移率,与使用非晶硅的薄膜晶体管和使用多晶硅的薄膜晶体管相比具有明显更低的漏电流,并且具有相对高的可靠性。此外,与使用多晶硅的薄膜晶体管相比,使用氧化物半导体的薄膜晶体管的优点在于阈值电压(Vth)分布是均匀的。
在这种使用氧化物半导体的薄膜晶体管上形成多个无机膜。如果这些无机膜通过PECVD工艺生长,则无机膜中的氢含量为约15%至30%。当包含在无机膜中的氢扩散到薄膜晶体管的有源层中时,扩散的氢与包含在氧化物半导体中的氧起反应,因此,薄膜晶体管的特性(例如,阈值电压等)改变并且薄膜晶体管的可靠性可能降低。
发明内容
因此,本公开内容涉及如下的封装单元和包括该封装单元的有机发光显示装置,其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。
本公开内容的目的是提供防止薄膜晶体管劣化以改善可靠性的封装单元以及包括该封装单元的有机发光显示装置。
本公开内容的附加优点、目的和特征将在接下来的说明书中部分地阐述,并且在考察了下面的内容时对于本领域的普通技术人员而言部分地将变得显而易见或者可以从本公开内容的实践中了解。本公开内容的目的和其他优点可以通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点,并且根据本公开内容的目的,如在本文中体现和广泛描述的那样,一种有机发光显示装置包括:发光元件,其设置在基板上;以及封装单元,其设置发光元件中的每个发光元件上,其中,该封装单元包括多个无机封装膜、设置在多个无机封装膜之间的至少一个有机封装膜以及设置在多个无机封装膜中的至少一个无机封装膜下面的至少一个透明氧化物膜。
在本公开内容的另一方面,一种封装单元包括:多个无机封装膜;至少一个有机封装膜,其设置在多个无机封装膜之间;以及至少一个透明氧化物膜,其设置在多个无机封装膜中的至少一个无机封装膜下面。
应当理解的是,本公开内容的前述的概括描述和下面的详细描述都是示例且是说明性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且并入本申请并构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中:
图1是根据本公开内容的有机发光显示装置的平面图;
图2是图1所示的有机发光显示装置的截面图;
图3A和图3B是根据图2所示的各种实施方式的封装单元的截面图;和
图4A至图4C是示出制造图2所示的有机发光显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的