[发明专利]过电流检测电路、半导体装置以及电源装置

权利要求书

1.一种过电流检测电路，其具备：

比较电压生成部，其生成随着电源电压而变化的比较电压；和

比较部，其将随着所述电源电压而变化的开关晶体管的漏极/源极间电压与所述比较电压进行比较而生成比较结果信号。

2.根据权利要求1所述的过电流检测电路，其中，

所述比较电压生成部包含放大电路，该放大电路通过对不依赖于所述电源电压的基准电压与所述电源电压之差进行放大而生成所述比较电压。

3.根据权利要求2所述的过电流检测电路，其中，

所述放大电路包含反相放大电路，该反相放大电路对所述电源电压与所述基准电压之差进行反相放大。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的过电流检测电路，其中，

所述过电流检测电路还具备对所述开关晶体管的漏极/源极间电压进行放大的第2放大电路，

所述比较部将由所述第2放大电路放大后的所述开关晶体管的漏极/源极间电压与所述比较电压进行比较。

5.一种半导体装置，其具备：

权利要求1～4中的任意一项所述的过电流检测电路；

所述开关晶体管，其具有与输出端子连接的漏极；以及

开关控制电路，其根据所述比较结果信号，限制流过所述开关晶体管的电流。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述开关控制电路根据所述比较结果信号而变更驱动所述开关晶体管的驱动信号的占空比。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，

当所述开关晶体管处于截止状态时，所述过电流检测电路停止动作。

8.根据权利要求5～7中的任意一项所述的半导体装置，其具备：

第1导电型的半导体衬底；

配置在所述半导体衬底内的第2导电型的第1阱；

配置在所述第1阱内的第1导电型的第2阱；

配置在所述第2阱内、构成所述开关晶体管的漏极和源极的多个第2导电型的杂质区域；

与所述半导体衬底电连接的第1端子；以及

与所述第2阱以及所述开关晶体管的源极电连接的第2端子。

9.一种电源装置，其具备：

权利要求5～8中的任意一项所述的半导体装置；和

连接于第1电源布线与所述半导体装置的所述输出端子之间的电感器。

10.根据权利要求9所述的电源装置，所述电源装置还具备：

二极管，其具有与所述半导体装置的所述输出端子连接的正极；和

连接于所述二极管的负极与第2电源布线之间的电容器。