[发明专利]一种显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种显示面板。

背景技术

有机发光二极管(OLED)由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，因此利用其制作的显示面板的市场前景被广泛看好。

目前，顶发射型显示面板对有机发光二极管的顶部电极要求较高，既需要其具备良好的导电性，又需要满足良好的透明性。目前较为常用的顶部透明电极为较薄(10-20nm)的金属薄膜或导电金属氧化物(如ITO)薄膜。金属薄膜越薄，透光性越好，但导电性会相对降低，因此需要对其导电性和透明性进行平衡，目前仍无法达到理想效果。而ITO薄膜导电性相对有限，尤其是制作大面积器件时，ITO的自身电阻形成的电压降会导致显示亮度不均匀、显示画面存在各种痕迹，从而影响显示效果。另外，ITO薄膜通常采用溅射工艺制备，溅射工艺会对下层造成一定的损伤。此外，由于OLED对水、氧比较敏感，要求顶部电极需具有一定耐水性，且要求有机发光二极管需严格的封装。因此，现有技术有待改进和进一步发展。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板，能够使发光器件具有良好的导电性、透明性和耐水性。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，包括TFT阵列基板、密封板和发光器件，所述密封板设置于所述TFT阵列基板上，与所述TFT阵列基板形成密闭空间，所述发光器件设置于所述密闭空间内的TFT阵列基板上，所述发光器件包括由下至上依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、发光层、阳极层和透明导电超疏水薄膜，所述阳极层具有多个贯通的通孔，所述多个通孔相互之间的间距由所述阳极层的中间向两侧逐渐减小，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。

优选的，所述通孔的形状为圆锥台形，且所述通孔下方的开口直径大于上方的开口直径。

优选的，所述应力缓冲层的材料为GaInAs。

优选的，所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。

优选的，所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。

优选的，所述氮化镓铝层中铝的组分为20-25％。

优选的，所述透明导电超疏水薄膜由导电碳纳米管和疏水树脂复合而成，其中，所述导电碳纳米管的组分为25％。

优选的，所述透明导电超疏水薄膜的厚度为80nm。

优选的，所述密封板包括密封盖和密封框，所述密封框设置于所述TFT阵列基板的边缘，所述密封盖与所述密封框的上端面密封连接。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明在发光器件的阳极层上设置透明导电超疏水薄膜。可以在保证阳极层导电性的前提下，适当减小阳极层的厚度，进而提高整个阳极层的透光性，而且透明导电超疏水薄膜具有超疏水性，可以有效地防止外部水分渗入发光器件，此外，通过在阳极层上设置贯通的通孔，可以使得由发光层所出射的光大部分得以通过通孔直接入射至透明导电超疏水薄膜，进一步提高了透光性，并且在发光层的至少一个氮化镓层中插入应力缓冲层，以增强量子阱的张应力作用，使得发光效率明显提升，通过上述方式，从而能够使发光器件具有良好的导电性、透明性和耐水性。

附图说明

图1是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图

图2是本发明实施例提供的显示面板的发光器件的结构示意图。

图3是图2所示的发光器件的阳极层的俯视示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参阅图1和图2，本发明实施例的显示面板包括TFT阵列基板1、密封板2和发光器件3，密封板2设置于TFT阵列基板1上，与TFT阵列基板1形成密闭空间11，发光器件3设置于密闭空间11内的TFT阵列基板1上。TFT阵列基板1上具有用于驱动发光器件3的TFT阵列，本发明实施例可采用本领域常规的TFT阵列基板。