[发明专利]可调制微波装置

权利要求书

1.一种可调制微波装置，其特征在于，包括：

一第一辐射体，包括：

一基板；

一金属层，设置于该基板上；

一保护层，设置于至少部分的该金属层上，且具有一第一穿孔，该第一穿孔与该金属层至少部分重叠；

一蚀刻阻挡层，设置于该金属层与该保护层之间，且具有一第二穿孔，该第二穿孔与该第一穿孔重叠；以及

一导电层，设置于该保护层上，其中该导电层延伸至该第一穿孔内，以通过该第一穿孔以及该第二穿孔接触该金属层；

一第二辐射体，与该第一辐射体上下对应设置；

一支撑结构，设置于该第一辐射体与该第二辐射体之间，其中该第一辐射体通过该支撑结构连接于该第二辐射体；

一密封壁，设置于该第一辐射体与该第二辐射体之间，且与该第一辐射体与该第二辐射体定义出一容置空间；以及

一调制结构，该调制结构包括液晶材料，且该调制结构设置于该容置空间。

2.如权利要求1所述的可调制微波装置，其特征在于，该第一辐射体更包括一绝缘层，设置于该保护层与该金属层之间。

3.如权利要求2所述的可调制微波装置，其特征在于，该金属层的厚度对该保护层的厚度的比值介于4至25之间。

4.如权利要求1所述的可调制微波装置，其特征在于，部分该蚀刻阻挡层未与该保护层重叠。

5.如权利要求1所述的可调制微波装置，其特征在于，部分的该导电层与该蚀刻阻挡层重叠。

6.如权利要求5所述的可调制微波装置，其特征在于，部分的该蚀刻阻挡层位于该导电层以及该金属层之间。

7.如权利要求5所述的可调制微波装置，其特征在于，部分的该导电层设置于该蚀刻阻挡层以及该金属层之间。

8.如权利要求5所述的可调制微波装置，其特征在于，该导电层与该金属层直接接触。

9.如权利要求1所述的可调制微波装置，其特征在于，该蚀刻阻挡层为导电材料。

10.如权利要求9所述的可调制微波装置，其特征在于，该蚀刻阻挡层为透明氧化物材料。

11.如权利要求9所述的可调制微波装置，其特征在于，该蚀刻阻挡层为金属材料。

12.如权利要求11所述的可调制微波装置，其特征在于，该保护层厚度为500 A至2000A的范围之间。

13.如权利要求1所述的可调制微波装置，其特征在于，该蚀刻阻挡层的蚀刻率小于该保护层的蚀刻率。

14.如权利要求1所述的可调制微波装置，其特征在于，该密封壁围绕该调制结构设置。

15.如权利要求14所述的可调制微波装置，其特征在于，该密封壁为环形结构。

16.如权利要求1所述的可调制微波装置，更包括一缓冲层设置于该基板与该金属层之间。

17.如权利要求16所述的可调制微波装置，其特征在于，该缓冲层为绝缘材料。

18.如权利要求17所述的可调制微波装置，其特征在于，该缓冲层为氧化铝。

19.一种可调制微波装置，其特征在于，包括：

一第一辐射体，包括：

一基板；

一缓冲层，设置于该基板上；

一金属层，设置于该缓冲层上；

一绝缘层，设置于部分的该金属层上，且具有一穿孔；以及

一蚀刻阻挡层，设置于该金属层与该缓冲层之间；

一第二辐射体，与该第一辐射体上下对应设置；

一支撑结构，设置于该第一辐射体与该第二辐射体之间，其中该第一辐射体通过该支撑结构连接于该第二辐射体；

一密封壁，设置于该第一辐射体与该第二辐射体之间，且与该第一辐射体与该第二辐射体定义出一容置空间；以及

一调制结构，该调制结构包括液晶材料，且该调制结构设置于该容置空间，

其中该穿孔暴露出部分该蚀刻阻挡层。