[发明专利]去除蚀刻掩模的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模；

使用所述图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化所述目标层，以形成图案化的目标层并且形成位于所述图案化的目标层上的残留物；

对所述图案化的蚀刻掩模和所述图案化的目标层执行第一清洁工艺，所述第一清洁工艺包括第一溶液，以通过所述第一清洁工艺去除所述残留物的第一部分并且保留所述残留物的第二部分；

执行第二清洁工艺以去除所述图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，其中，所述第二清洁工艺包括第二溶液以将所述残留物的所述第二部分形成为残留冷凝物；

对所述暴露的图案化的目标层执行第三清洁工艺；以及

对所述暴露的图案化的目标层执行第四清洁工艺，所述第四清洁工艺包括所述第一溶液，其中，所述第三清洁工艺和所述第四清洁工艺去除所述残留冷凝物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一溶液包括水、过氧化氢和氢氧化铵中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二溶液包括磷酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述图案化的蚀刻掩模作为所述掩模来图案化所述目标层在所述图案化的目标层和所述图案化的蚀刻掩模的侧壁上产生残留物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述残留物层包括碳氟化合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述暴露的图案化的目标层执行所述第三清洁工艺包括：将所述暴露的图案化的目标层暴露于去离子水。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述去离子水包括二氧化碳。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述暴露的图案化的目标层执行所述第四清洁工艺包括：在介于20摄氏度和70摄氏度之间的温度下分配所述第一溶液。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一芯轴层上方形成掩模层；

在所述掩模层上方形成第二芯轴层；

图案化所述第二芯轴层以在所述第二芯轴层中形成至少一个开口；

在所述至少一个开口的侧壁上形成第一间隔件；

使用所述第一间隔件作为掩模来图案化所述掩模层，以形成图案化的掩模层；

使用所述图案化的掩模层作为掩模来图案化所述第一芯轴层，以形成图案化的第一芯轴层并且形成位于所述图案化的第一芯轴层上的第一残留物；

对所述第一残留物执行第一清洁工艺以去除所述第一残留物的第一部分并且保留所述第一残留物的第二部分；

使用掩模去除工艺来去除所述图案化的掩模层，所述掩模去除工艺将所述第一残留物的所述第二部分形成为残留冷凝物；以及

使用残余物去除工艺来去除所述残留冷凝物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述残留冷凝物包括碳氟化合物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一清洁工艺使用第一溶液来清洁所述图案化的第一芯轴层和所述图案化的掩模层，所述第一溶液包括水、过氧化氢和氢氧化铵的混合物。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述掩模去除工艺包括第二溶液。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二溶液包括磷酸。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在介于100摄氏度和200摄氏度之间的温度下执行所述掩模去除工艺。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述残留物去除工艺包括去离子水和氢氧化铵。