[发明专利]具有低电流参考电路的存储器装置

说明书

一种具有低电流参考电路的存储器装置包含存储器胞元单元、参考电路及感测放大器。所述存储器胞元单元包含存储器胞元。所述参考电路经配置以产生参考电流且包含多个磁性电阻元件。所述磁性电阻元件中的至少一者处于高电阻状态中。所述感测放大器耦合到所述存储器胞元单元及所述参考电路，且经配置以将流动穿过所述存储器胞元的电流与所述参考电流进行比较以感测存储于所述存储器胞元中的数据位、放大所述所感测数据位的电平且输出所述经放大数据位。

技术领域

本揭露涉及具有低电流参考电路的存储器装置。

背景技术

磁阻式随机存取存储器(MRAM)包含经配置以在其中存储数据位的存储器胞元。MRAM的存储器胞元包含可操作以便在表示逻辑“1”值的高电阻状态与表示逻辑“0”值的低电阻状态之间切换的MRAM元件。存储于存储器胞元中的数据位(逻辑“0”或“1”值)通过将流动穿过存储器胞元的电流与参考电流进行比较来确定。

发明内容

根据本揭露的一实施例，一种存储器装置包括：存储器胞元单元，其包含存储器胞元；参考电路，其经配置以产生参考电流且包含：多个电阻元件的布置，所述多个电阻元件中的至少一者是处于高电阻状态中的磁性电阻元件，及感测放大器，其耦合到所述存储器胞元单元及所述参考电路，且经配置以将流动穿过所述存储器胞元的电流与所述参考电流进行比较以感测存储于所述存储器胞元中的数据位且输出所述所感测数据位。

根据本揭露的一实施例，一种存储器装置包括：存储器胞元单元，其包含存储器胞元；感测放大器，其耦合到所述存储器胞元单元，且经配置以将流动穿过所述存储器胞元的电流与参考电流进行比较以感测存储于所述存储器胞元中的数据位且输出经放大数据位；及参考电路，其耦合到所述感测放大器，经配置以产生所述参考电流，且包含一对磁性电阻元件，其被并联耦合且处于高电阻状态中，及一对晶体管，其耦合到所述磁性电阻元件。

根据本揭露的一实施例，一种方法包括：产生参考电流，所述参考电流对应于处于高电阻状态中的磁性电阻元件的电阻及具有基本上恒定电阻的电阻单元的电阻；将流动穿过存储器胞元的电流与所述参考电流进行比较以感测存储于所述存储器胞元中的数据位；及提供所述所感测数据位作为输出。

附图说明

当与附图一起阅读时，从以下详细描述最佳地理解本揭露的各方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种构件的尺寸。

图1是图解说明根据本揭露的存储器装置的第一示范性实施例的示意图。

图2是图解说明根据本揭露的存储器装置的示范性存储器胞元单元的示意图。

图3是图解说明根据本揭露的存储器装置的示范性参考电路的示意图。

图4是图解说明根据本揭露的存储器装置的第二示范性实施例的示意图。

图5是图解说明根据本揭露的存储器装置的第三示范性实施例的示意图。

图6是描绘根据本揭露的提供用于从多个存储器胞元单元读取数据的参考电流的单个参考电路的图式。

图7是描绘根据本揭露的存储器装置的示范性实施例的操作方法的流程图。

具体实施方式

以下揭露内容提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅是实例且不打算为限制性的。举例来说，以下描述中第一构件形成于第二构件上方或上可包含其中第一及第二构件形成为直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于第一与第二构件之间使得第一与第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简化及清晰的目的且自身不规定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。